Документация
Диод защитный 43.6В включение 70.1В ограничение для поверхностного монтажа
У поставщика
ПроизводительLITTELFUSE
КатегорияСупрессоры
У поставщиков
2 308 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт6,50 ₽
Сумма650,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии2 308 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
от 165 — 5,93 ₽ (−9%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 650,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 650,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 650,00 ₽
Описание
Защитный диод LITTELFUSE P6SMB51CA с рабочим напряжением 43,6 В и ограничением до 70,1 В. Выполнен в корпусе DO-214AA (SMBJ) для поверхностного монтажа, работает в диапазоне от -55 до 150 °C. Применяется для защиты цепей в промышленной автоматике и блоках питания.
Технические характеристики
| Тип | TVS Diode, Bidirectional |
| Корпус | SMB (DO-214AA) |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | Bidirectional |
| Уровень MSL | 1 |
| Соответствие | RoHS, Halogen free |
| Покрытие выводов | Matte tin |
| Артикул | P6SMB51CA |
| Тестовый ток | 1mA |
| Время отклика | less than 1.0ps |
| ЭСР по воздуху | 30kV |
| Сертификация | UL recognized |
| Напряжение фиксации | 70.1V |
| Импульсная мощность макс. | 600W |
| ESD контактный разряд | 30kV |
| Импульсный ток макс. | 8.7A |
| Макс. пробойное напр. | 53.6V |
| Мин. пробойное напр. | 48.5V |
| Обратный ток утечки | 1µA |
| Темп. коэф. | 0.100 %/C |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Обратное напряжение | 43.6V |
| Диап. темп. хр. | -65°C to 175°C |
| Диап. раб. темп. | -65°C to 150°C |
| Температура оплавления | 260°C for 30 seconds |
| Описание (англ.) | TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC SMD |
| Power dissipation on heat sink | 5.0W |
| Тепловое сопротивление переход-вывод | 20°C/W |
| Рабочая температура | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Термосопротивление переход-среда | 100°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?