Документация
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 4.5 А, 0.055 Ом
У поставщика
ПроизводительNIKO-SEM
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
94 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:94 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 28 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 25,67 |
| от 50 | 24,79 |
| от 100 | 23,63 |
| от 200 | 22,17 |
| от 400 | 20,78 |
Описание
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор от NIKO-SEM в компактном корпусе SOP-8. Рассчитан на напряжение до 60 В и ток до 4,5 А при сопротивлении открытого канала всего 0,055 Ом. Подходит для цепей управления питанием и коммутации нагрузки в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | SOP-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Да |
| Описание | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| Артикул | P5506HVG |
| Без галогенов | Да |
| Макс. время спада | 15ns |
| Тип. время спада | 6ns |
| Макс. время нарастания | 18ns |
| Тип. время нарастания | 8ns |
| Прямое напряжение | 1V |
| Gate resistance | 1.6Ω |
| Avalanche energy | 14mJ |
| Лавинный ток | 17A |
| Gate body leakage | ±100nA |
| Заряд сток-затвор | 2.6nC |
| Вх. емкость | 650pF |
| Заряд затвор-исток | 2.4nC |
| Выходная емкость | 80pF |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Напряжение сток-исток | 60V |
| Импульсный ток стока | 25A |
| Мощн. рас. 25°C | 2W |
| Power dissipation 70c | 1.3W |
| Заряд затвора макс. | 18nC |
| Тип. заряд затвора | 12.5nC |
| On state drain current | 25A |
| Время вкл. макс. | 20ns |
| Время задержки вкл. тип. | 11ns |
| Макс. время выключения | 35ns |
| Время задержки выкл. тип. | 19ns |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 14S |
| Continuous source current | 2A |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.0V |
| Тип. пороговое Uзи | 1.5V |
| Длительный ток стока 25°C | 4.5A |
| Continuous drain current 70c | 4A |
| Обратная проходная емкость | 35pF |
| Описание (англ.) | field-effect transistor assembly, 2xN-channel, 60V 4.5A 0.055 Ohm |
| Напряжение пробоя сток-исток | 60V |
| Junction storage temperature range | -55 to 150°C |
| Тепловое сопротивление переход-вывод | 60°C/W |
| Zero gate voltage drain current 48v | 1µA |
| Термосопротивление переход-среда | 110°C/W |
| Zero gate voltage drain current 40v 55c | 10µA |
| Drain source on state resistance 10v max | 55mΩ |
| Drain source on state resistance 10v typ | 42mΩ |
| Drain source on state resistance 4 5v max | 75mΩ |
| Drain source on state resistance 4 5v typ | 55mΩ |
| Thermal resistance junction to ambient 10s | 62.5°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?