Документация
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 40 В, -8.8 А/12 А, 3 Вт
У поставщика
ПроизводительNIKO-SEM
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
267 шт.
Норм. уп.: 200
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:267 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 200
Минимальная партия: 14 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 50,75 |
| от 16 | 47,50 |
| от 32 | 44,44 |
| от 63 | 42,17 |
| от 125 | 40,10 |
Описание
Сборка из полевых транзисторов от NIKO-SEM объединяет N- и P-канальные ключи в одном корпусе TO252-5. Компонент рассчитан на напряжение 40 В, ток до -8.8 А (P-канал) и 12 А (N-канал) при мощности 3 Вт. Подходит для компактных схем управления питанием и преобразователей в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | TO-252-5 |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | N-Channel and P-Channel |
| Без свинца | Да |
| Fall time n | 2.8ns to 5.5ns |
| Fall time p | 10ns to 18ns |
| Rise time n | 5.6ns to 10ns |
| Rise time p | 7.8ns to 16.5ns |
| Без галогенов | Да |
| Конфигурация | N- & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| Lead temperature | 275°C |
| Gate body leakage | ±100nA |
| Gate resistance n | 1.8Ω |
| Gate resistance p | 7Ω |
| Avalanche energy n | 20mJ |
| Avalanche energy p | 19mJ |
| Avalanche current n | 19A |
| Avalanche current p | -18A |
| Gate drain charge n | 1.6nC |
| Gate drain charge p | 1.5nC |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Input capacitance n | 495pF to 643pF |
| Input capacitance p | 558pF to 725pF |
| Total gate charge n | 12nC |
| Total gate charge p | 11nC |
| Gate source charge n | 1.8nC |
| Gate source charge p | 1.7nC |
| Output capacitance n | 110pF to 143pF |
| Output capacitance p | 250pF to 325pF |
| Импульсный ток стока | 50A |
| Turn on delay time n | 1.7ns to 3.2ns |
| Turn on delay time p | 5.4ns to 12ns |
| Мощн. рас. 25°C | 3W |
| Power dissipation 70c | 2.1W |
| Turn off delay time n | 7.6ns to 14ns |
| Turn off delay time p | 16ns to 30ns |
| Drain source voltage n | 40V |
| Drain source voltage p | -40V |
| Reverse recovery time n | 40ns |
| Reverse recovery time p | 50ns |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Gate threshold voltage n | 1.7V to 3.0V |
| Gate threshold voltage p | -1.7V to -3.0V |
| On state drain current n | 50A |
| On state drain current p | -50A |
| Reverse recovery charge n | 28nC |
| Reverse recovery charge p | 50nC |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Forward transconductance n | 18S |
| Forward transconductance p | 10S |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Описание (англ.) | field-effect transistor assembly, N+P-channel, 40V -8.8/12A, 3W |
| Continuous drain current n 25c | 12A |
| Continuous drain current n 70c | 8A |
| Continuous drain current p 25c | -8.8A |
| Continuous drain current p 70c | -5.8A |
| Reverse transfer capacitance n | 41pF to 53pF |
| Reverse transfer capacitance p | 60pF to 78pF |
| Drain source breakdown voltage n | 40V |
| Drain source breakdown voltage p | -40V |
| Zero gate voltage drain current n | 1μA |
| Zero gate voltage drain current p | -1μA |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 6°C/W |
| Source drain diode forward voltage n | 1.2V |
| Source drain diode forward voltage p | -1.2V |
| Zero gate voltage drain current n 55c | 10μA |
| Zero gate voltage drain current p 55c | -10μA |
| Термосопротивление переход-среда | 42°C/W |
| Drain source on state resistance n vgs5v | 39mΩ to 50mΩ |
| Drain source on state resistance p vgs5v | 76mΩ to 99mΩ |
| Drain source on state resistance n vgs10v | 26mΩ to 30mΩ |
| Drain source on state resistance p vgs10v | 47mΩ to 55mΩ |
Заметили ошибку в описании или параметрах?