Документация
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 40 В, -5.5 А/7 А, 3 Вт
У поставщика
ПроизводительNIKO-SEM
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
61 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:61 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 14 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 50,15 |
| от 16 | 46,94 |
| от 32 | 43,91 |
| от 50 | 41,68 |
| от 150 | 39,63 |
Описание
Сборка из полевых транзисторов NIKO-SEM P2804ND5G объединяет N-канальный и P-канальный ключи в одном корпусе TO252-5. Рабочее напряжение 40 В, ток до -5.5 А (P-канал) и 7 А (N-канал), мощность рассеивания 3 Вт. Подходит для компактных схем управления питанием и защиты в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | TO-252-5 (DPAK) |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | N-Channel and P-Channel |
| Без свинца | Да |
| Описание | N- & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor, Dual MOSFET |
| Fall time n | 10ns |
| Fall time p | 5ns |
| Артикул | P2804ND5G |
| Rise time n | 15ns |
| Rise time p | 10ns |
| Без галогенов | Да |
| Корпус | TO252-5 |
| Avalanche energy | 33mJ |
| Лавинный ток | 26A |
| Конфиг. выводов | 5 pins: G1, S1, G2, S2, D (common drain) |
| Gate drain charge n | 5nC |
| Gate drain charge p | 6nC |
| Input capacitance n | 797pF |
| Input capacitance p | 856pF |
| Total gate charge n | 17nC |
| Total gate charge p | 18nC |
| Gate leakage current | ±100nA |
| Gate source charge n | 4nC |
| Gate source charge p | 4nC |
| Output capacitance n | 180pF |
| Output capacitance p | 191pF |
| Импульсный ток стока | 50A |
| Turn on delay time n | 10ns |
| Turn on delay time p | 10ns |
| Мощн. рас. 25°C | 21W |
| Turn off delay time n | 20ns |
| Turn off delay time p | 25ns |
| Drain source voltage n | 40V |
| Drain source voltage p | -40V |
| Power dissipation 100c | 8W |
| Diode forward voltage n | 1V at 7A |
| Diode forward voltage p | -1V at -5.5A |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Reverse recovery time n | 25ns |
| Reverse recovery time p | 35ns |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Gate threshold voltage n | 1 to 3V (typ 2V) |
| Gate threshold voltage p | -1 to -3V (typ -2V) |
| On state drain current n | 50A |
| On state drain current p | -50A |
| Reverse recovery charge n | 35nC |
| Reverse recovery charge p | 40nC |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Diode continuous current n | 21A |
| Diode continuous current p | -16A |
| Forward transconductance n | 16S |
| Forward transconductance p | 11S |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Описание (англ.) | field-effect transistor assembly, N+P-channel, 40V -5.5/7A, 3W |
| Continuous drain current n 25c | 21A |
| Continuous drain current p 25c | -16A |
| Reverse transfer capacitance n | 132pF |
| Reverse transfer capacitance p | 128pF |
| Continuous drain current n 100c | 13A |
| Continuous drain current p 100c | -10A |
| Drain source on resistance n vgs5 | 49mΩ max (typ 35mΩ) |
| Drain source on resistance p vgs5 | 85mΩ max (typ 65mΩ) |
| Zero gate voltage drain current n | 1µA (10µA at 55°C) |
| Zero gate voltage drain current p | -1µA (-10µA at 55°C) |
| Drain source on resistance n vgs10 | 28mΩ max (typ 18mΩ) |
| Drain source on resistance p vgs10 | 48mΩ max (typ 33mΩ) |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 6°C/W |
| Термосопротивление переход-среда | 40°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?