Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 10А 42мОм 32Вт
У поставщика
ПроизводительNIKO-SEM
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
58 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:58 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 14 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 56,50 |
| от 15 | 52,96 |
| от 29 | 49,63 |
| от 57 | 47,17 |
| от 100 | 44,92 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от NIKO-SEM. Работает при напряжении до 40 В и токе до 10 А, сопротивление открытого канала — 42 мОм, мощность рассеивания — 32 Вт. Выполнен в корпусе D-Pak (TO-252). Подходит для импульсных источников питания и цепей управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | TO-252 |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Да |
| Описание | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| Артикул | P2804BDG |
| Fall time tf | 4ns |
| Без галогенов | Да |
| Производитель | NIKO-SEM |
| Rise time tr | 8ns |
| Gate resistance rg | 1.6Ω |
| Avalanche energy eas | 34mJ |
| Total gate charge qg | 17nC |
| Avalanche current ias | 26A |
| Gate drain charge qgd | 5nC |
| Gate body leakage igss | ±250nA |
| Gate source charge qgs | 4nC |
| Input capacitance ciss | 814pF |
| Gate source voltage vgs | ±20V |
| Output capacitance coss | 172pF |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Power dissipation pd 25c | 31W |
| Pulsed drain current idm | 75A |
| Storage temperature tstg | -55 to 150°C |
| Turn on delay time td on | 4ns |
| Drain source voltage vdss | 40V |
| Power dissipation pd 100c | 12.5W |
| Reverse recovery time trr | 23ns |
| Turn off delay time td off | 14ns |
| Continuous drain current id | 25A |
| Reverse recovery charge qrr | 19nC |
| Forward transconductance gfs | 25S |
| On state drain current id on | 75A |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 40V 10A 42mOhm 32W |
| Continuous drain current id 100c | 16A |
| Source drain forward voltage vsd | 1.3V |
| Drain source on resistance rds on | 28mΩ |
| Gate threshold voltage vgs th max | 3V |
| Gate threshold voltage vgs th min | 1V |
| Gate threshold voltage vgs th typ | 2V |
| Operating junction temperature tj | -55 to 150°C |
| Reverse transfer capacitance crss | 121pF |
| Drain source breakdown voltage vbr dss | 40V |
| Zero gate voltage drain current idss 25c | 1µA |
| Thermal resistance junction to case rthjc | 4°C/W |
| Zero gate voltage drain current idss 125c | 10µA |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 50°C/W |
| Drain source on resistance rds on vgs5v id12a max | 50mΩ |
| Drain source on resistance rds on vgs5v id12a typ | 27mΩ |
| Drain source on resistance rds on vgs10v id18a max | 28mΩ |
| Drain source on resistance rds on vgs10v id18a typ | 15mΩ |
Заметили ошибку в описании или параметрах?