Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 18А 42Вт
У поставщика
ПроизводительNIKO-SEM
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
436 шт.
Норм. уп.: 600
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:436 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 600
Минимальная партия: 22 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 32,15 |
| от 24 | 29,87 |
| от 48 | 27,72 |
| от 95 | 26,12 |
| от 190 | 24,67 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от NIKO-SEM. Работает при напряжении до 40 В, выдерживает ток до 18 А и мощность 42 Вт. Выпускается в компактном корпусе DPAK/TO-252AA. Подходит для цепей управления питанием и защиты от перегрузок в промышленной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| Корпус | TO-252 |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | P2504EDG |
| Время спада | 33ns |
| Без свинца | Да |
| Rg tested | 100% Rg tested |
| Время нарастания | 29ns |
| Uis tested | 100% UIS tested |
| Без галогенов | Да |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Gate body leakage | ±250nA |
| Заряд сток-затвор | 7nC |
| Полный заряд затвора | 29nC |
| Заряд затвор-исток | 6nC |
| Время задержки включения | 12ns |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 42ns |
| Напряжение сток-исток | -40V |
| Импульсный ток стока | -40A |
| Время обратного восстановления | 29ns |
| Gate threshold voltage | -1.5V to -3.0V |
| Input capacitance ciss | 1570pF |
| On state drain current | -40A |
| Power dissipation tc25 | 42W |
| Power dissipation tc70 | 27W |
| Output capacitance coss | 320pF |
| Заряд обратного восстановления | 21nC |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 20S |
| Continuous source current | -18A |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Тип. пороговое Uзи | -2.2V |
| Усл. изм. емк. | VGS=0V, VDS=-15V, f=1MHz |
| Диап. раб. темп. | -55 to 150°C |
| Source drain forward voltage | -1.3V |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, P-channel, 40 V, 18 A, 42 W |
| Continuous drain current tc25 | -18A |
| Continuous drain current tc70 | -13.5A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -40V |
| Zero gate voltage drain current | 1µA |
| Reverse transfer capacitance crss | 210pF |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 3°C/W |
| Zero gate voltage drain current tj125 | 10µA |
| Термосопротивление переход-среда | 75°C/W |
| Drain source on resistance vgs 7v id 10a | 30mΩ typ, 40mΩ max |
| Drain source on resistance vgs 10v id 18a | 22mΩ typ, 25.8mΩ max |
Заметили ошибку в описании или параметрах?