Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8А 2.5Вт
У поставщика
ПроизводительNIKO-SEM
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
750 шт.
Норм. уп.: 200
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:750 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 200
Минимальная партия: 30 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 23,84 |
| от 32 | 22,01 |
| от 64 | 20,27 |
| от 127 | 19,00 |
| от 400 | 17,84 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от NIKO-SEM. Работает при напряжении до 30 В, выдерживает ток до 8 А и мощность 2,5 Вт. Выпускается в компактном корпусе SO-8. Подходит для импульсных источников питания и цепей управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | SOP-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | P2003BVG |
| Без свинца | Да |
| Описание | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| Размер e | 1.27mm |
| Dimension j | 0.22mm |
| Макс. время спада | 30ns |
| Fall time min | 20ns |
| Макс. время нарастания | 26ns |
| Rise time min | 17ns |
| Dimension a max | 5.0mm |
| Dimension a min | 4.8mm |
| Dimension a typ | 4.9mm |
| Dimension b max | 4.0mm |
| Dimension b min | 3.8mm |
| Dimension b typ | 3.9mm |
| Dimension c max | 6.2mm |
| Dimension c min | 5.8mm |
| Dimension c typ | 6.0mm |
| Dimension d max | 0.51mm |
| Dimension d min | 0.38mm |
| Dimension d typ | 0.445mm |
| Dimension f max | 1.75mm |
| Dimension f min | 1.35mm |
| Dimension f typ | 1.55mm |
| Dimension g max | 0.25mm |
| Dimension g min | 0.1mm |
| Dimension g typ | 0.175mm |
| Dimension h max | 0.83mm |
| Dimension h min | 0.5mm |
| Dimension h typ | 0.715mm |
| Dimension i max | 0.25mm |
| Dimension i min | 0.18mm |
| Dimension i typ | 0.254mm |
| Dimension k max | 8° |
| Dimension k min | 0° |
| Dimension k typ | 4° |
| Lead temperature | 275°C |
| Gate body leakage | ±100nA |
| Заряд сток-затвор | 3.8nC |
| Вх. емкость | 1200pF |
| Заряд затвор-исток | 5.8nC |
| Выходная емкость | 220pF |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Напряжение сток-исток | 30V |
| Импульсный ток стока | 32A |
| Мощн. рас. 25°C | 2.5W |
| Power dissipation 70c | 1.6W |
| Pulsed source current | 4.6A |
| Заряд затвора макс. | 20nC |
| Total gate charge min | 15nC |
| On state drain current | 8A |
| Время вкл. макс. | 18ns |
| Turn on delay time min | 11ns |
| Макс. время выключения | 54ns |
| Turn off delay time min | 37ns |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 16S |
| Continuous source current | 2.3A |
| Макс. время обрат. восстановления | 80ns |
| Reverse recovery time min | 50ns |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1V |
| Тип. пороговое Uзи | 1.5V |
| Длительный ток стока 25°C | 8A |
| Continuous drain current 70c | 6A |
| Обратная проходная емкость | 100pF |
| Source drain forward voltage | 1.1V |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 30V 8A 2.5W |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30V |
| Junction storage temperature range | -55 to 150°C |
| Zero gate voltage drain current 25c | 1µA |
| Zero gate voltage drain current 55c | 10µA |
| Термосопротивление переход-среда | 50°C/W |
| Drain source on state resistance 10v max | 20mΩ |
| Drain source on state resistance 10v min | 17mΩ |
| Drain source on state resistance 4 5v max | 32mΩ |
| Drain source on state resistance 4 5v min | 26mΩ |
Заметили ошибку в описании или параметрах?