Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
12 339 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт2,77 ₽
Сумма831,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии12 015 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 300 штюрлицам и ИП
от 592 — 2,28 ₽ (−18%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 831,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 469,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
300 шт · Склад 13 · 831,00 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от NEXPERIA. Рабочее напряжение 60 В, корпус SOT-23 для поверхностного монтажа. Подходит для коммутации нагрузок и цепей защиты в компактных устройствах. Применяется в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | N-канальный MOSFET |
| Корпус | SOT23 (TO-236AB) |
| Тип монтажа | SMD |
| Технология | Trench MOSFET |
| Применение | Relay driver, High-speed line driver, Low-side loadswitch, Switching circuits |
| Время спада | 5ns typ (VDS=40V, RL=250Ω, VGS=10V, RG(ext)=6Ω, Tj=25°C) |
| Код маркировки | %CM |
| Время нарастания | 7ns typ (VDS=40V, RL=250Ω, VGS=10V, RG(ext)=6Ω, Tj=25°C) |
| Esd protected | Да |
| Информация для заказа | Номер типа: NX7002AK; Название корпуса: TO-236AB; Версия корпуса: SOT23 |
| Drain current id | 300mA (at VGS=10V, Tj=25°C); 190mA (at VGS=10V, Tamb=25°C, FR4 1cm2 pad); 120mA (at VGS=10V, Tamb=100°C) |
| Source current is | 190mA (Tamb=25°C, FR4 1cm2 pad) |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 0.09nC typ |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 0.12nC typ |
| Входная ёмкость Ciss | 15pF typ, 20pF max (VDS=10V, f=1MHz, VGS=0V, Tj=25°C) |
| Peak drain current idm | 760mA (single pulse, tp≤10µs, Tamb=25°C) |
| Напряжение затвор-исток, В | -20V to 20V |
| Темп. перехода Tj | -55°C to 150°C |
| Выходная ёмкость Coss | 3.4pF typ (VDS=10V, f=1MHz, VGS=0V, Tj=25°C) |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Ambient temperature tamb | -55°C to 150°C |
| Напряжение сток-исток, В | 60V |
| Температура хранения | -65°C to 150°C |
| Total gate charge qg tot | 0.33nC typ, 0.43nC max (VDS=30V, ID=200mA, VGS=4.5V, Tj=25°C) |
| Задержка включения (td on) | 6ns typ, 12ns max (VDS=40V, RL=250Ω, VGS=10V, RG(ext)=6Ω, Tj=25°C) |
| Gate leakage current igss | 2µA max (VGS=20V, VDS=0V, Tj=25°C); -2µA max (VGS=-20V, VDS=0V, Tj=25°C); 0.5µA max (VGS=10V, VDS=0V, Tj=25°C); -0.5µA max (VGS=-10V, VDS=0V, Tj=25°C); 100nA max (VGS=5V, VDS=0V, Tj=25°C); -100nA max (VGS=-5V, VDS=0V, Tj=25°C) |
| Drain leakage current idss | 1µA max (VDS=60V, VGS=0V, Tj=25°C); 10µA max (VDS=60V, VGS=0V, Tj=150°C) |
| Задержка выключения | 11ns typ, 20ns max (VDS=40V, RL=250Ω, VGS=10V, RG(ext)=6Ω, Tj=25°C) |
| Прямая крутизна (gfs) | 500mS typ (VDS=10V, ID=200mA, Tj=25°C) |
| Общая рассеиваемая мощность Ptot | 265mW (Tamb=25°C, standard footprint); 325mW (Tamb=25°C, 1cm2 pad); 1330mW (Tsp=25°C) |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 60V TO-236AB |
| Пороговое напряжение затвора (Vgs th) | 1.1V min, 1.6V typ, 2.1V max (ID=250µA, VDS=VGS, Tj=25°C) |
| Source drain diode voltage vsd | 0.47V typ, 0.8V typ, 1.2V max (IS=115mA, VGS=0V, Tj=25°C) |
| Drain source on resistance rds on | 3Ω typ, 4.5Ω max (VGS=10V, ID=100mA, Tj=25°C); 6.2Ω typ, 9.2Ω max (VGS=10V, ID=100mA, Tj=150°C); 3.7Ω typ, 5.2Ω max (VGS=5V, ID=100mA, Tj=25°C) |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | 2pF typ (VDS=10V, f=1MHz, VGS=0V, Tj=25°C) |
| Напряжение пробоя сток-исток (VBR DSS) | 60V min (ID=250µA, VGS=0V, Tj=25°C) |
| Thermal resistance junction ambient rth j a | 410K/W typ, 470K/W max (standard footprint); 330K/W typ, 380K/W max (1cm2 pad) |
| Thermal resistance junction solder point rth j sp | 95K/W max |
Заметили ошибку в описании или параметрах?