+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
NTR5198NLT1G
Документация

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7A

Артикул:801883
У поставщика
У поставщиков
13 924 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 808,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 492,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 808,00 ₽
Описание

Транзистор MOSFET N-канальный от ON Semiconductor. Рабочее напряжение до 60 В, ток до 2,2 А, корпус SOT23-3. Подходит для коммутации нагрузок в компактных блоках питания и DC-DC преобразователях.

Технические характеристики
Корпус318
Сопротивление сток-исток155mΩ typ @10V, 205mΩ typ @4.5V
МаркировкаAA6
КорпусSOT-23-3
Тип монтажаSMD
Время спада2ns
Время нарастания7ns
Логический уровеньДа
Сопротивление затвора8Ω
Вх. емкость182pF
Рассеиваемая мощность1.5W (TA=25°C)
Полный заряд затвора2.8nC @4.5V, 5.1nC @10V
Выходная емкость25pF typ
Время задержки включения5ns
Темп. хранения-55 to 150°C
Время задержки выключения13ns
Импульсный ток стока27A
Напряжение сток-исток60V
Напр. диода0.8V typ, 1.2V max
Раб. температура-55 to 150°C
Время обратного восстановления12ns
Пороговое напряжение затвора1.5-2.5V
Напряжение затвор-исток макс.±20V
Заряд обратного восстановления6nC
Тип упаковкиЛента и катушка (лента в катушке)
Непрерывный ток стока2.2A (TA=25°C)
Прямая крутизна3S
Температура пайки выводов260°C
Обратная проходная емкость16pF
Описание (англ.)MOSFET N-CH 60V 2.2A SOT23
Тепловое сопротивление переход-вывод86°C/W
Threshold temperature coefficient-6.5mV/°C
Тепловое сопротивление переход-среда139°C/W
Темп. коэфф. напряжения пробоя70mV/°C

Заметили ошибку в описании или параметрах?