Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный -60В -211мА
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
2 855 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт10,18 ₽
Сумма1 018,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии2 855 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
от 187 — 8,92 ₽ (−12%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 018,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 282,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 1 018,00 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от ON Semiconductor. Работает при напряжении до -60 В и токе до -211 мА, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для управления нагрузкой в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | P-канальный MOSFET |
| Маркировка | T05 |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Да |
| Артикул | NTR5105PT1G |
| Применение | Small Signal Load Switch, Analog Switch |
| Время спада | 12.8ns |
| Без галогенов | Да |
| Время нарастания | 4.0ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Размеры упаковки | A: 0.89-1.11mm; B: 0.37-0.50mm; C: 0.09-0.18mm; D: 2.80-3.04mm; E: 1.20-1.40mm; L: 0.10-0.30mm; A1: 0.01-0.10mm; E1: 1.78-2.04mm; He: 2.10-2.64mm; L1: 0.35-0.69mm |
| Посадочное место для пайки | Шаг: 0.95mm; Ширина: 0.037in; Длина: 2.0mm; Pad width: 0.9mm; Pad length: 0.8mm |
| Рассеиваемая мощность Pd | 347mW |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 0.3nC |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 0.4nC |
| Входная ёмкость Ciss | 30.3pF |
| Напряжение затвор-исток, В | ±20V |
| Выходная ёмкость Coss | 4.7pF |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Импульсный ток стока | -784A |
| Total gate charge qg tot | 1.0nC |
| Задержка включения (td on) | 5.8ns |
| Напряжение сток-исток (VDSS) | -60V |
| Forward diode voltage vsd | 1.0V |
| Source current body diode | -347mA |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Прямое напряжение диода тела | 0.78V |
| Задержка выключения | 8.8ns |
| Длительный ток стока | -211mA |
| Threshold gate charge qg th | 0.2nC |
| Прямая крутизна (gfs) | 227mS |
| Описание (англ.) | MOSFET -60 V, -211 mA, Single P-Channel |
| Пороговое напряжение затвора (Vgs th) | -1.0 to -3.0V |
| Температура выводов при пайке | 260°C |
| Ток утечки затвор-исток IGSS | ±100nA |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | 3.2pF |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Ток стока при нулевом затворе IDSS | -1.0µA |
| Напряжение пробоя сток-исток (VBR DSS) | -60V |
| Drain source on resistance rds on vgs 10v | 5.0Ω |
| Drain source on resistance rds on vgs 4 5v | 6.0Ω |
| Thermal resistance junction to ambient t less 5s | 310°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда, установившийся режим | 360°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?