Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.13А 1.25Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
1 568 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт11,60 ₽
Сумма1 160,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии1 568 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
от 103 — 10,91 ₽ (−6%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 160,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 140,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 1 160,00 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от ON Semiconductor. Рабочее напряжение до 30 В, ток до 1,13 А, мощность рассеивания 1,25 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок и управления питанием в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Мощность, Вт | 10 |
| Ток, А | 70 |
| Маркировка | TR2 |
| Корпус | SOT-23 (TO-236) |
| Напряжение, В | 20 |
| Тип монтажа | SMD |
| Упаковка | Tape & Reel, 3000 |
| Тип корпуса | SOT-23 (TO-236) Case 318-08 |
| Размеры | A: 0.89-1.11 mm; D: 2.80-3.04 mm; E: 1.20-1.40 mm; Индуктивность: 0.30-0.55 mm; T: 0° to 10°; B: 0.37-0.50 mm; C: 0.08-0.20 mm; E: 1.78-2.04 mm; A1: 0.01-0.10 mm; HE: 2.10-2.64 mm; L1: 0.35-0.69 mm |
| Сопротивление | Rds on vgs -10v id -1.95a: 155mΩ typ, 200mΩ max; Rds on vgs -4.5v id -1.5a: 240mΩ typ, 350mΩ max |
| Технология | Planar |
| Ёмкость | Входная ёмкость Ciss: 200pF; Выходная ёмкость Coss: 80pF; Обратная проходная ёмкость (Crss): 50pF |
| Описание | Power MOSFET, Single P-Channel, -30V, -1.95A, SOT-23 |
| Заряд затвора | Заряд затвор-сток Qgd: 1.7nC; Total gate charge qg tot: 6nC typ, 10nC max; Заряд затвор-исток Qgs: 1nC; Threshold gate charge qg th: 0.3nC |
| Артикул | NTR4502PT1G |
| Применение | DC to DC Conversion, Load/Power Switch for Portables and Computing, Motherboard, Notebooks, Camcorders, Digital Camera's, etc., Battery Charging Circuits |
| Тип канала | P-канал |
| Производитель | onsemi |
| Конфигурация | Single |
| Назначение выводов | Вывод 1: Gate; Вывод 2: Source; Вывод 3: Drain |
| Соотв. RoHS | Да |
| Ток утечки | Gate to source leakage current: ±100nA; Ток стока при нулевом напряжении затвора, 25 °C: -1μA; Ток стока при нулевом напряжении затвора, 55 °C: -10μA |
| Время переключения | Время спада: 17.5ns typ, 30ns max; Время нарастания: 12ns typ, 20ns max; Задержка включения (td on): 5.2ns typ, 10ns max; Задержка выключения: 19ns typ, 35ns max |
| Темп. диапазон | -55°C to 150°C |
| Тепловое сопротивление | Junction to ambient t 10s: 100 °C/W; Junction to ambient steady state: 300 °C/W |
| Автомобильный | NV prefix only |
| Характеристики диода | Forward diode voltage vsd: -0.8V typ, -1.2V max; Время обратного восстановления: 23ns |
| Пороговое напряжение затвора | -1.0V to -3.0V |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 3S |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23 |
| Температура выводов при пайке | 260°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?