Документация
Транзистор NTR4501NT1G
У поставщика
У поставщиков
2 315 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт13,64 ₽
Сумма682,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии2 315 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 50 штюрлицам и ИП
от 93 — 12,72 ₽ (−7%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 682,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 618,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
50 шт · Склад 13 · 682,00 ₽
Описание
Транзистор NTR4501NT1G от ON Semiconductor — это N-канальный полевой MOSFET, предназначенный для коммутации нагрузок средней мощности. Компонент выполнен в компактном корпусе для поверхностного монтажа, что упрощает разработку компактных устройств. Применяется в цепях управления питанием, DC/DC-преобразователях и схемах защиты электронных модулей.
Технические характеристики
| Напряжение сток-исток | 80V |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Макс. заряд затвора | 41nC |
| Тип. заряд затвора | 34nC |
| Макс. сопротивление затвора | 1.2Ω |
| Тип. сопротивление затвора, Rg | 0.85Ω |
| Макс. TF | 45ns |
| Tf тип. | 31ns |
| Макс. TR | 17ns |
| Tr тип. | 11ns |
| Крутизна gfs, мин. | 25S |
| Корпус | SO-8 |
| Qgd тип. | 11.0nC |
| Qgs тип. | 7.5nC |
| Температура перехода и хранения | -55 to 150°C |
| Макс. время обратного восстановления | 75ns |
| Trr тип. | 45ns |
| Vsd макс. | 1.1V |
| VSD тип. | 0.75V |
| Igss макс. | ±100nA |
| Тип монтажа | SMD |
| Id on min | 50A |
| Ток стока импульсный | 50A |
| Макс. задержка включения | 25ns |
| Td(вкл) тип. | 17ns |
| Макс. задержка выключения | 60ns |
| Td(выкл) тип. | 40ns |
| Vgs порог мин. | 2.0V |
| Описание | N-Channel 80-V (D-S) MOSFET |
| Артикул | Si4896DY |
| Pd ta25 10s | 3.1W |
| Pd ta70 10s | 2.0W |
| Rds on vgs6 | 0.022Ω |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Rds on vgs10 | 0.0165Ω |
| Rthja 10s max | 40°C/W |
| Rthja 10s typ | 33°C/W |
| Idss vds64 25c | 1µA |
| Idss vds64 55c | 5µA |
| Pd ta25 steady | 1.56W |
| Pd ta70 steady | 1.0W |
| Rds on vgs6 max | 0.022Ω |
| Rds on vgs6 typ | 0.0175Ω |
| Rds on vgs10 max | 0.0165Ω |
| Rds(on) при Vgs 10 В, тип. | 0.0135Ω |
| Rthja steady max | 80°C/W |
| Rthja steady typ | 65°C/W |
| Rthjf steady max | 21°C/W |
| Rthjf steady typ | 17°C/W |
| Лавинный ток (IAS) | 40A |
| Id continuous ta25 10s | 9.5A |
| Id continuous ta70 10s | 7.6A |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Is continuous source 10s | 2.8A |
| Id continuous ta25 steady | 6.7A |
| Id continuous ta70 steady | 5.4A |
| Is continuous source steady | 1.4A |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?