Документация
Транзистор полевой NTR4101PT1G / P-канал, SOT-23, 3.2А, 20В
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
15 838 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт9,81 ₽
Сумма981,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии15 838 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
от 330 — 8,67 ₽ (−12%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 981,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 319,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 981,00 ₽
Описание
Транзистор полевой NTR4101PT1G производства ON Semiconductor — это P-канальный MOSFET в компактном корпусе SOT-23. Компонент рассчитан на ток до 3,2 А и напряжение 20 В, что делает его подходящим для коммутации нагрузок и управления питанием в портативных устройствах. Отличается низким сопротивлением открытого канала, обеспечивая эффективное переключение и минимизацию потерь.
Технические характеристики
| Корпус | SOT-23 |
| Без свинца | Да |
| Тип монтажа | SMD |
| Упаковка | 3000 / Tape & Reel |
| Кол-во выводов | 3 |
| Описание | Trench Power MOSFET, -20V, Single P-Channel, SOT-23 |
| Артикул | NTR4101PT1G |
| Тип канала | P-канал |
| Время спада | 21.0ns |
| Без галогенов | Да |
| Время нарастания | 12.6ns |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Устойчивость к ЭСР | 225V |
| Назначение выводов | 1-Gate, 2-Source, 3-Drain |
| Соотв. RoHS | Да |
| Сопротивление затвора Rg | 6.5Ω |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 2.2nC |
| Rds on vgs18 id09 max | 210mΩ |
| Rds on vgs18 id09 typ | 112mΩ |
| Rds on vgs25 id13 max | 120mΩ |
| Rds on vgs25 id13 typ | 90mΩ |
| Rds on vgs45 id16 max | 85mΩ |
| Rds on vgs45 id16 typ | 70mΩ |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 1.2nC |
| Входная ёмкость Ciss | 675pF |
| Напряжение затвор-исток, В | ±8.0V |
| Выходная ёмкость Coss | 100pF |
| Turn on delay time tdon | 7.5ns |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Импульсный ток стока | -18A |
| Температура хранения | -55 to 150°C |
| Общий заряд затвора Qg, макс. | 8.5nC |
| Общий заряд затвора Qg, тип. | 7.5nC |
| Напряжение сток-исток (VDSS) | -20V |
| Turn off delay time tdoff | 30.2ns |
| Заряд обратного восстановления, Qrr | 1008nC |
| Прямая крутизна (gfs) | 7.5S |
| Ток истока диода корпуса, Is | -2.4A |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23 |
| Forward diode voltage vsd max | -1.2V |
| Forward diode voltage vsd typ | -0.82V |
| Температура пайки выводов TL | 260°C |
| Power dissipation pd ta25 10s | 1.25W |
| Время обратного восстановления trr, макс. | 15ns |
| Тип. время обратного восстановления (trr) | 12.8ns |
| Power dissipation pd note2 ta25 | 0.42W |
| Ток утечки затвор-исток IGSS | ±100nA |
| Пороговое напряжение затвора VGS(th), макс. | -1.2V |
| Пороговое напряжение затвора VGS(th), мин. | -0.4V |
| Тип. пороговое напряжение затвора VGS(th) | -0.72V |
| Power dissipation pd ta25 steady | 0.73W |
| Рабочая температура перехода Tj | -55 to 150°C |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | 75pF |
| Энергия лавины одиночного импульса (EAS) | 16mJ |
| Continuous drain current id ta25 10s | -3.2A |
| Ток стока при нулевом затворе IDSS | -1.0µA |
| Напряжение пробоя сток-исток, Vbrdss | -20V |
| Рабочая температура | Ind |
| Continuous drain current id note2 ta25 | -1.8A |
| Continuous drain current id note2 ta85 | -1.3A |
| Continuous drain current id ta25 steady | -2.4A |
| Continuous drain current id ta85 steady | -1.7A |
| Thermal resistance junction ambient 10s note1 | 100°C/W |
| Thermal resistance junction ambient steady note1 | 170°C/W |
| Thermal resistance junction ambient steady note2 | 300°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?