Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.3А 0.4Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
2 525 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт17,70 ₽
Сумма885,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии2 525 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 50 штюрлицам и ИП
от 75 — 16,62 ₽ (−6%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 885,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 415,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
50 шт · Склад 13 · 885,00 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от ON Semiconductor. Рабочее напряжение до 20 В, ток до 1.3 А при мощности 0.4 Вт, корпус SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок и управления питанием в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Tf | 9ns |
| Tr | 15ns |
| Ciss | 225pF |
| Coss | 130pF |
| Crss | 55pF |
| Idss | -1.0µA |
| IGSS | ±100nA |
| Td(вкл) | 7ns |
| Td(выкл) | 18ns |
| Корпус | SOT-23 (TO-236) |
| Макс. Vds | -20V |
| Особенности | Low RDS(on), SOT-23 saves board space, Pb-Free and Halide-Free packages available, NVTR prefix AEC-Q101 qualified and PPAP capable |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | P-канал |
| Ток стока импульсный | -4.0A |
| Тип корпуса | 318-08 |
| Описание | P-Channel Power MOSFET, SOT-23 |
| Артикул | NTR1P02LT1G |
| Производитель | onsemi |
| Id непрерывный | -1.3A |
| Конфиг. выводов | 1=Gate, 2=Source, 3=Drain |
| Рассеиваемая мощность | 400mW |
| Полный заряд затвора | 3.1nC |
| Макс. пороговое Vgs | -1.25V |
| Мин. пороговое Vgs | -0.7V |
| Тип. пороговое напряжение затвор-исток | -1.0V |
| Body dimensions mm | 2.90 x 1.30 |
| Vgs continuous max | ±12V |
| Макс. Rds(on) при Vgs 2.5 В | 0.35Ω |
| RDS(on), макс. при VGS 4,5 В | 0.22Ω |
| Сопротивление сток-исток, тип., Vgs 2,5 В | 0.200Ω |
| Тип. RDS(on) при VGS 4,5 В | 0.140Ω |
| Напр. диода | -1.0V |
| Размеры корпуса мм | D 2.80-3.04, E 1.20-1.40, HE 2.10-2.64, A 0.89-1.11, A1 0.01-0.10, b 0.37-0.50, c 0.08-0.20, e 1.78-2.04, L 0.30-0.55, L1 0.35-0.69 |
| Время обратного восстановления | 16ns |
| Заряд обратного восстановления | 8.5nC |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Температура пайки выводов | 260°C |
| Диап. раб. темп. | -55 to 150°C |
| Импульсный ток сток-исток | -0.75A |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23 |
| Непрерывный ток сток-исток | -0.6A |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 300°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?