Документация
Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 30 В, 0.25 А, 0.272 Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
2 172 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт12,17 ₽
Сумма1 217,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии2 172 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
от 152 — 10,78 ₽ (−11%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 217,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 083,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 1 217,00 ₽
Описание
Сборка из двух N-канальных полевых транзисторов от ON Semiconductor. Компонент рассчитан на напряжение 30 В и ток до 0,25 А при мощности 0,272 Вт, выпускается в компактном корпусе SC70-6. Подходит для коммутации нагрузок и управления сигналами в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Мощность, Вт | 272 |
| Ток, А | 0,6 |
| Корпус | SC-88 / SC70-6 / SOT-363 |
| Напряжение, В | 30 |
| Особенности | Low gate charge for fast switching, Small footprint, ESD protected gate, AEC Q101 qualified (NVTJD4001N), Pb-Free and RoHS compliant |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | NTJD4001NT1G |
| Время спада | 82ns |
| Частота | 1MHz (capacitance test condition) |
| Кол-во выводов | 6 |
| Время нарастания | 23ns |
| Размеры | D:1.80-2.20mm, E:1.15-1.35mm, HE:2.00-2.20mm, A:0.80-1.10mm, A1:0.00-0.10mm, b:0.10-0.30mm, C:0.10-0.25mm, L:0.10-0.30mm, e:0.65mm BSC |
| Сопротивление | Rds on vgs 4v: 1.0Ω typ, 1.5Ω max; Rds(on) при Vgs 2.5 В: 1.5Ω typ, 2.5Ω max |
| Ёмкость | Входная ёмкость Ciss: 20pF typ, 33pF max; Выходная ёмкость Coss: 19pF typ, 32pF max; Обратная проходная ёмкость (Crss): 7.25pF typ, 12pF max |
| Описание | Dual N-Channel Small Signal MOSFET |
| Применение | Low side load switch, Li-Ion battery supplied devices, Buck converters, Level shifts |
| Назначение выводов | 1: Source1, 2: Gate1, 3: Drain2, 4: Source2, 5: Gate2, 6: Drain1 |
| Температура выводов | 260°C |
| Напряжение пробоя | 30V min |
| Заряд сток-затвор | 0.2nC |
| Рассеиваемая мощность | 272mW |
| Полный заряд затвора | 0.9nC typ, 1.3nC max |
| Заряд затвор-исток | 0.3nC |
| Время задержки включения | 17ns |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 94ns |
| Напряжение сток-исток | 30V |
| Ток утечки затвора | ±1.0μA max |
| Импульсный ток стока | 600mA |
| Напр. диода | 0.65V typ, 0.7V max @25°C; 0.45V typ @125°C |
| Время обратного восстановления | 12.4ns |
| Threshold gate charge | 0.2nC |
| Пороговое напряжение затвора | 0.8V min, 1.2V typ, 1.5V max |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Непрерывный ток стока | 250mA |
| Прямая крутизна | 80mS typ |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Диап. раб. темп. | -55°C to 150°C |
| Описание (англ.) | MOSFET x 2 N-CH 30V 0.25A |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | 1.0μA max |
| Тепловое сопротивление переход-вывод | 252°C/W |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 56mV/°C |
| Threshold voltage temp coefficient | -3.2mV/°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 458°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?