Документация
Транзистор полевой NTF3055L108T1G / N-канал, 3А, 60В, SOT-223
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
403 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:403 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 62,65 |
| от 35 | 57,74 |
| от 70 | 53,73 |
| от 140 | 50,72 |
| от 279 | 48,46 |
Описание
Транзистор полевой NTF3055L108T1G производства ON Semiconductor — это N-канальный MOSFET, предназначенный для коммутации и управления нагрузкой. Компонент рассчитан на ток до 3 А и напряжение до 60 В, выпускается в компактном корпусе SOT-223 для поверхностного монтажа. Применяется в цепях питания, DC/DC-преобразователях и схемах защиты.
Технические характеристики
| Корпус | SOT-223 (TO-261) |
| Тип монтажа | SMD |
| Код корпуса | 318E |
| Покрытие выводов | Pb-Free |
| Logic level | Да |
| Макс. время спада | 60ns |
| Тип. время спада | 27ns |
| Макс. время нарастания | 70ns |
| Тип. время нарастания | 35ns |
| Тип компонента | N-Channel Power MOSFET |
| Соотв. RoHS | Да |
| Коэф. сниж. | 0.014W/°C |
| Avalanche energy | 74mJ |
| Drain gate voltage | 60V |
| Drain current pulsed | 9.0A |
| Напряжение сток-исток | 60V |
| Входная емкость макс. | 440pF |
| Тип. входная емкость | 313pF |
| Заряд затвора макс. | 15nC |
| Тип. заряд затвора | 7.6nC |
| Макс. выходная емкость | 160pF |
| Выходная емкость тип. | 112pF |
| Время вкл. макс. | 25ns |
| Время задержки вкл. тип. | 11ns |
| Power dissipation note1 | 2.1W |
| Power dissipation note2 | 1.3W |
| Макс. темп. хр. | 175°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Макс. время выключения | 45ns |
| Время задержки выкл. тип. | 22ns |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Gate source voltage peak | ±20V |
| Transfer capacitance max | 60pF |
| Transfer capacitance typ | 40pF |
| Напр. диода макс. | 1.0V |
| Тип. прямое напряжение диода | 0.87V |
| Макс. раб. темп. | 175°C |
| Мин. раб. темп. | -55°C |
| Тип. время восст. | 35ns |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.0V |
| Тип. пороговое Uзи | 1.68V |
| Drain source on voltage max | 0.43V |
| Drain source on voltage typ | 0.290V |
| Forward transconductance typ | 5.7S |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 |
| Drain current continuous ta25 | 3.0A |
| Drain current continuous ta50 | 1.4A |
| Gate body leakage current max | ±100nA |
| Gate source voltage continuous | ±15V |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 60V |
| Drain source breakdown voltage typ | 68V |
| Reverse recovery stored charge typ | 0.044µC |
| Zero gate voltage drain current max | 1µA |
| Макс. сопротивление сток-исток вкл. | 120mΩ |
| Тип. сопротивление сток-исток | 92mΩ |
| Zero gate voltage drain current hot max | 10µA |
| Thermal resistance junction to ambient note1 | 72.3°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient note2 | 114°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?