+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
NTF2955T1G
Документация

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.7А 1Вт

Артикул:801829
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
671 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:671 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 10 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 172,30
от 1970,91
от 3869,05
от 7566,44
от 14963,27
Описание

Транзистор полевой MOSFET P-канального типа от ON Semiconductor. Работает при напряжении до 60 В, токе до 1,7 А и мощности рассеивания 1 Вт, выпускается в компактном корпусе SOT-223. Подходит для схем управления нагрузкой и коммутации в промышленной автоматике и бытовой электронике.

Технические характеристики
Tf38ns
Tr7.6ns
Eas225mJ
Заряд затвор-сток5.2nC
Заряд затвор-исток2.3nC
Заряд обратного восстановления0.139nC
TRR36ns
Корпус318E
Ciss492pF
Coss165pF
Crss50pF
Qg th1.2nC
Стиль3
Td(вкл)11ns
Цоколевка1-Gate, 2-Drain, 3-Source, 4-Drain
Qg tot14.3nC
Td(выкл)65ns
КорпусSOT-223
Без свинцаДа
Тип монтажаSMD
Vsd tj25-1.10V
УпаковкаTape & Reel
Кол-во выводов4
Ta charge20ns
Vsd tj125-0.9V
Igss vgs20±100nA
ОписаниеPower MOSFET, -60V, -2.6A, Single P-Channel SOT-223
АртикулNTF2955T1G
Vbr dss min-60V
Channel typeP-Channel
Tb discharge16ns
Vsd tj25 max-1.30V
Соотв. RoHSДа
Gfs vgs15 id0751.77S
Idss vds60 tj25-1.0uA
Idss vds60 tj125-50uA
Кол-во на катушке1000
Макс. пороговое Vgs-4.0V
Мин. пороговое Vgs-2.0V
AEC-Q101NVF2955
Vbr dss temp coeff66.4mV/°C
Eas test conditionsVDD=25V, VG=10V, IPK=6.7A, L=10mH, RG=25Ohm
Темп. хранения-55°C to 175°C
Rds on max vgs10 id15180mOhm
Rds on max vgs10 id24185mOhm
Rds on typ vgs10 id15150mOhm
Rds on typ vgs10 id24154mOhm
Rds on max vgs10 id075170mOhm
Rds on typ vgs10 id075145mOhm
Thermal resistance rjc14°C/W
Gate source voltage vgs±20V
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Pulsed drain current idm-17A
Drain source voltage vdss-60V
Power dissipation pd ta252.3W
Температура пайки выводов260°C
Thermal resistance rja note165°C/W
Thermal resistance rja note2150°C/W
Описание (англ.)MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223
Рабочая температура перехода-55°C to 175°C
Power dissipation pd ta25 note21.0W
Continuous drain current id ta25-2.6A
Continuous drain current id ta85-2.0A
Continuous drain current id ta25 note2-1.7A
Continuous drain current id ta85 note2-1.3A

Заметили ошибку в описании или параметрах?