Документация
Драйвер MOSFET изолированный сдвоенный 4/6A 25В
У поставщика
ПроизводительNovosense
КатегорияИзолирующие драйверы IGBT/MOSFET
У поставщиков
423 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:423 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 95,94 |
| от 24 | 89,03 |
| от 47 | 83,38 |
| от 94 | 79,17 |
| от 188 | 76,02 |
Описание
Микросхема Novosense NSI6602B-Q1SPNR — это сдвоенный изолированный драйвер MOSFET. Работает на выходе до 25 В с пиковым током 4 и 6 А, обеспечивает гальваническую развязку 3 кВ и высокую помехоустойчивость. Подходит для импульсных источников питания, тяговых инверторов и силовой электроники в промышленной и автомобильной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | SOIC-16 |
| Тип монтажа | SMD |
| Сертификаты | UL1577, DIN VDE V 0884-11:2017-01, CSA, CQC |
| Тип компонента | isolated_dual-channel_gate_driver |
| Deadtime formula | t_DT(ns) = 10 * R_DT(kΩ) |
| Напр. изоляции | 3000Vrms |
| Aec q100 qualified | Да |
| Delay matching max | 5ns |
| Propagation delay typ | 25ns |
| Макс. частота переключения | 2MHz |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Input supply voltage max | 5.5V |
| Input supply voltage min | 2.7V |
| Output sink current peak | 6A |
| Deadtime resistance range | 1kΩ to 200kΩ |
| Driver supply voltage max | 25V |
| Minimum input pulse width | 20ns |
| Output source current peak | 4A |
| Pulse width distortion max | 6ns |
| Диап. раб. темп. | -40°C to 125°C |
| Описание (англ.) | Dual 4 A/6 A isolated gate driver (2.7–5.5 V in, 25 V out, 3 kVrms, AEC‑Q100, ±150 kV/µs CMTI) |
| Recommended dt bypass capacitance | 2.2nF or higher |
| Common mode transient immunity typ | ±150kV/us |
Заметили ошибку в описании или параметрах?