Документация
Драйвер MOSFETполумостовой изолированный 6A 7В...25В SOIC-16-300mIl
У поставщика
ПроизводительNovosense
КатегорияИзолирующие драйверы IGBT/MOSFET
У поставщиков
381 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:381 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 123,36 |
| от 20 | 114,83 |
| от 39 | 107,86 |
| от 77 | 102,66 |
| от 153 | 98,79 |
Описание
Микросхема-драйвер MOSFET от Novosense для полумостовых схем с гальванической изоляцией. Рассчитана на выходной ток до 6 А и напряжение питания от 7 до 25 В, выпускается в корпусе SOIC-16 шириной 300 mil. Применяется в импульсных блоках питания, преобразователях напряжения и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | SO-16 |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | NSI6602B-DSWR |
| Описание | High reliability isolated dual-channel gate driver |
| Deadtime formula | t_DT(ns)=10×R_DT(kΩ) |
| Одобр. безоп. | UL1577, DIN VDEV0884-11:2017-01, CSA component notice 5A, CQC per GB4943.1-2011 |
| Напр. изоляции | 5700Vrms per UL1577 (SOIC-16 300mil) |
| Delay matching max | 5ns |
| Input supply voltage | 2.7V to 5.5V |
| Driver supply voltage | 7V to 25V |
| Propagation delay typ | 25ns |
| Макс. частота переключения | 2MHz |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Output peak sink current | 6A |
| Minimum input pulse width | 20ns |
| Output peak source current | 4A |
| Pulse width distortion max | 6ns |
| Макс. напряжение питания | 28V |
| Диап. раб. темп. | -40°C to 125°C |
| Описание (англ.) | Half BrIdge IsolatIon MOSFET 6A 7V~25V 4A SOIC-16-300mIl Gate DrIve ICs |
| Common mode transient immunity typ | 150kV/us |
| Deadtime bias capacitor recommended | 2.2nF |
| Deadtime programming resistor range | 1kΩ to 200kΩ |
Заметили ошибку в описании или параметрах?