Документация
Транзистор полевой NDS355AN
У поставщика
У поставщиков
1 904 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 25,40 |
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:979 шт
Срок поставки: до 2 недель
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 25,40 |
Склад 13
В наличии:925 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 30 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 23,08 |
| от 56 | 22,22 |
| от 111 | 21,09 |
| от 222 | 19,71 |
| от 443 | 18,45 |
Описание
Полевой транзистор NDS355AN от ON Semiconductor — компактный MOSFET с изолированным затвором. Работает при напряжении до 30 В и токе до 1,7 А, выполнен в миниатюрном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Logic level | Да |
| Артикул | NDS355AN |
| Производитель | onsemi |
| Заряд сток-затвор | 1.7nC |
| Вх. емкость | 195pF @ V_DS=15V, V_GS=0V, f=1MHz |
| Полный заряд затвора | 3.5nC typ, 5nC max @ V_DS=10V, I_D=1.7A, V_GS=5V |
| Заряд затвор-исток | 0.8nC |
| Выходная емкость | 135pF @ same conditions |
| Напр. диода | 0.8V typ, 1.2V max @ I_S=0.42A, V_GS=0V |
| On resistance vgs 10v | 0.065Ω typ, 0.085Ω max @ I_D=1.9A |
| On resistance vgs 4 5v | 0.105Ω typ, 0.125Ω max @ I_D=1.7A |
| Voltage gate source max | ±20V |
| Current drain pulsed max | 10A |
| Voltage drain source max | 30V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Gate threshold voltage 25c | 1V min, 1.6V typ, 2V max @ I_D=250µA |
| Gate threshold voltage 125c | 0.5V min, 1.2V typ, 1.5V max @ I_D=250µA |
| Диап. раб. темп. | -55°C to 150°C |
| Current drain continuous max | 1.7A |
| Diode pulsed forward current | 10A |
| Power dissipation max note1a | 0.5W |
| Power dissipation max note1b | 0.46W |
| Обратная проходная емкость | 48pF @ same conditions |
| Diode continuous forward current | 0.42A |
| Switching fall time vdd10v vgs10v | 4ns typ, 10ns max |
| Switching fall time vdd5v vgs4 5v | 5ns typ, 10ns max |
| Switching rise time vdd10v vgs10v | 13ns typ, 25ns max |
| Switching rise time vdd5v vgs4 5v | 32ns typ, 60ns max |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 75°C/W |
| Switching turn on delay vdd10v vgs10v | 10ns typ, 20ns max |
| Switching turn on delay vdd5v vgs4 5v | 10ns typ, 20ns max |
| Switching turn off delay vdd10v vgs10v | 13ns typ, 25ns max |
| Switching turn off delay vdd5v vgs4 5v | 10ns typ, 20ns max |
| Thermal resistance junction to ambient note1a | 250°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?