Документация
Транзистор полевой NDS355AN
У поставщика
У поставщиков
1 874 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 2срок до 2 недель
Цена за шт24,05 ₽
Сумма601,25 ₽
В наличии979 шт
от 25 штюрлицам и ИП
Склад 13срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии895 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 50 штюрлицам и ИП
продаётся от 50 штпри 50 — 22,28 ₽
25 шт · Склад 2 · 601,25 ₽
Описание
Полевой транзистор NDS355AN от ON Semiconductor — компактный MOSFET с изолированным затвором. Работает при напряжении до 30 В и токе до 1,7 А, выполнен в миниатюрном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Логический уровень | Да |
| Артикул | NDS355AN |
| Производитель | onsemi |
| Заряд сток-затвор | 1.7nC |
| Вх. емкость | 195pF @ V_DS=15V, V_GS=0V, f=1MHz |
| Полный заряд затвора | 3.5nC typ, 5nC max @ V_DS=10V, I_D=1.7A, V_GS=5V |
| Заряд затвор-исток | 0.8nC |
| Выходная емкость | 135pF @ same conditions |
| Напр. диода | 0.8V typ, 1.2V max @ I_S=0.42A, V_GS=0V |
| Сопротивление открытия, VGS 10 В | 0.065Ω typ, 0.085Ω max @ I_D=1.9A |
| Сопротивление во включённом состоянии при Vgs 4,5 В | 0.105Ω typ, 0.125Ω max @ I_D=1.7A |
| Макс. напряжение затвор-исток | ±20V |
| Импульсный ток стока, макс. | 10A |
| Макс. напряжение сток-исток | 30V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора при 25 °C | 1V min, 1.6V typ, 2V max @ I_D=250µA |
| Пороговое напряжение затвора при 125 °C | 0.5V min, 1.2V typ, 1.5V max @ I_D=250µA |
| Диап. раб. темп. | -55°C to 150°C |
| Макс. непрерывный ток стока | 1.7A |
| Импульсный прямой ток | 10A |
| Макс. рассеиваемая мощность, прим. 1a | 0.5W |
| Макс. рассеиваемая мощность, прим. 1b | 0.46W |
| Обратная проходная емкость | 48pF @ same conditions |
| Непрерывный прямой ток диода | 0.42A |
| Время спада Vdd 10 В, Vgs 10 В | 4ns typ, 10ns max |
| Время спада Vdd 5 В, Vgs 4,5 В | 5ns typ, 10ns max |
| Время нарастания, Vdd 10 В, Vgs 10 В | 13ns typ, 25ns max |
| Время нарастания, Vdd 5 В, Vgs 4,5 В | 32ns typ, 60ns max |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 75°C/W |
| Задержка включения, Vdd 10 В, Vgs 10 В | 10ns typ, 20ns max |
| Задержка включения, Vdd 5 В, Vgs 4,5 В | 10ns typ, 20ns max |
| Задержка выключения, Vdd 10 В, Vgs 10 В | 13ns typ, 25ns max |
| Задержка выключения, Vdd 5 В, Vgs 4,5 В | 10ns typ, 20ns max |
| Тепловое сопротивление переход-среда, прим. 1a | 250°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?