Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 120мА, 0.3Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 748 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 748 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 104 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 6,67 |
| от 96 | 6,14 |
| от 191 | 5,58 |
| от 381 | 5,01 |
| от 761 | 4,57 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от ON Semiconductor. Работает при напряжении до 60 В и токе до 120 мА, мощность рассеивания — 0,3 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT23-3. Подходит для коммутации нагрузок в портативных устройствах и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Маркировка | 610 |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Количество | 3000 units |
| Размер катушки | 7" |
| Ширина ленты | 8mm |
| Описание | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| Артикул | NDS0610 |
| Drain source diode | Напр. диода: -0.8V typ, -1.5V max; Время обратного восстановления: 17ns; Заряд обратного восстановления: 15nC; Max continuous diode forward current: -0.24A |
| On characteristics | Gate threshold voltage: -1V min, -1.7V typ, -3.5V max; On state drain current: -0.6A; Прямая крутизна: 70mS min, 430mS typ; Drain source on resistance at vgs 10v id 0.5a: 1.0Ω typ, 10Ω max; Gate threshold voltage temperature coefficient: 3mV/°C; Drain source on resistance at vgs 4.5v id 0.25a: 1.3Ω typ, 20Ω max; Drain source on resistance at vgs 10v id 0.5a 125c: 1.7Ω typ, 16Ω max |
| Off characteristics | Gate body leakage: ±10nA max; Напряжение пробоя сток-исток: -60V min; Zero gate voltage drain current: -1µA max; Zero gate voltage drain current at 125c: -200µA max; Breakdown voltage temperature coefficient: -53mV/°C |
| Drain current pulsed | -1A |
| Макс. рассеиваемая мощность | 0.36W |
| Power derate above 25c | 2.9mW/°C |
| Dynamic characteristics | Gate resistance: 10Ω; Вх. емкость: 79pF; Выходная емкость: 10pF; Capacitance test frequency: 1MHz; Обратная проходная емкость: 4pF |
| Voltage gate source max | ±20V |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Drain current continuous | -0.12A |
| Voltage drain source max | -60V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Switching characteristics | Заряд сток-затвор: 0.4nC; Полный заряд затвора: 1.8nC typ, 2.5nC max; Время нарастания: 6.3ns typ, 12.6ns max; Заряд затвор-исток: 0.3nC; Время спада: 7.5ns typ, 15ns max; Время задержки включения: 2.5ns typ, 5ns max; Время задержки выключения: 10ns typ, 15ns max |
| Температура пайки выводов | 300°C for 10 seconds |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23 |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to +150°C |
| Термосопротивление переход-среда | 350°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?