+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
MX30LF1G28AD-TI
Документация

Флэш-память архитектура И-НЕ параллельная 3В/3.3В 1Гбит 128M x 8 25нс

Артикул:871279
У поставщика
ПроизводительMacronix
У поставщиков
105 шт.
Норм. уп.: 96
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:105 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 96
Минимальная партия: 4 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1181,27
от 13169,59
от 26160,06
от 52152,97
от 96147,68
Описание

Флэш-память NAND от Macronix с архитектурой И-НЕ. Работает при напряжении 3.3 В, имеет объём 1 Гбит и организована как 128M x 8 бит со временем доступа 25 нс. Выполнена в корпусе TSOP48. Подходит для хранения данных в промышленной автоматике и встраиваемых системах.

Технические характеристики
ResetSupported
Id readSupported
КорпусTSOP-48
Тип монтажаSMD
ИнтерфейсParallel
Размер страницы2048 bytes + 64 bytes spare
Read time25µs typical
Block size128K bytes + 4K bytes spare
Cache readSupported
Access time25ns
Описание3V, 1G-bit NAND Flash Memory
Тип памятиNAND Flash
АртикулMX30LF1G28AD-TI
ПроизводительMacronix
Организация128M x 8
Cache programSupported
Сохранение данных10 years
Memory density1Gbit
Onfi compliantДа
Напряжение питания3V/3.3V
Ecc requirement4-bit ECC per 528 bytes
Ток в режиме ожидания50µA max
Status registerSupported
Block erase time2ms typical
Block protectionSupported
Number of blocks1024
Input voltage low0.8V max
Page program time200µs typical
Input voltage high2.0V min
Низкое вых. напр.0.4V max
Высокое выходное напряжение2.4V min
Parameter page readSupported
Темп. хранения-65°C to +150°C
Program erase cycles100K cycles
Раб. температура-40°C to +85°C
Operating current read15mA typical
Operating current erase15mA typical
Тип упаковкиPalette (палетта)
Operating current program15mA typical
Описание (англ.)SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8 25ns

Заметили ошибку в описании или параметрах?