Документация
Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 2.2 кОм+47 кОм
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
3 409 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:3 409 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,00 |
| от 339 | 0,86 |
| от 447 | 0,75 |
| от 894 | 0,68 |
| от 1 788 | 0,64 |
Описание
Цифровой PNP транзистор от ON Semiconductor. Рабочее напряжение до 50 В, ток до 0,1 А, мощность 0,202 Вт. Встроенные резисторы 2,2 кОм и 47 кОм упрощают монтаж. Корпус SOT-323 подходит для компактных устройств. Применяется в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| R1 | 2.2kΩ |
| R2 | 47kΩ |
| Корпус | 419 |
| Pin1 | Base (Input) |
| Pin2 | Emitter (Ground) |
| Pin3 | Collector (Output) |
| Стиль | 3 |
| Корпус | SC-70/SOT-323 |
| Упаковка | 3000 / Tape & Reel |
| Без свинца | Да |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | MUN5135T1G |
| Кол-во выводов | 3 |
| Описание | Digital Transistor (BRT), PNP, with monolithic bias resistor network |
| Без галогенов | Да |
| Part marking | 6M |
| Соотв. RoHS | Да |
| Тип транзистора | PNP |
| Resistor ratio r1 r2 | 0.047 |
| Input resistor r1 max | 2.9kΩ |
| Input resistor r1 min | 1.5kΩ |
| Input resistor r1 typ | 2.2kΩ |
| Hfe мин. | 80 |
| Dc current gain hfe typ | 140 |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Derate above 25c min pad | 1.6mW/°C |
| Resistor ratio r1 r2 max | 0.056 |
| Resistor ratio r1 r2 min | 0.038 |
| Resistor ratio r1 r2 typ | 0.047 |
| Output voltage on vol max | 0.2Vdc |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Input voltage on vi on min | 1.1Vdc |
| Input voltage on vi on typ | 0.8Vdc |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Output voltage off voh min | 4.9Vdc |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 50Vdc |
| Derate above 25c 1x1inch pad | 2.5mW/°C |
| Input voltage off vi off max | 0.5Vdc |
| Input voltage off vi off typ | 0.6Vdc |
| Описание (англ.) | PNP R1=2,2 KOm: R2=47 KOm |
| Input forward voltage vin fwd | 12Vdc |
| Input reverse voltage vin rev | 5Vdc |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 50Vdc |
| Непрерывный ток коллектора Ic | 100mAdc |
| Emitter base cutoff current iebo | 0.2mAdc |
| Power dissipation pd ta25 min pad | 202mW |
| Collector base cutoff current icbo | 100nAdc |
| Collector emitter cutoff current iceo | 500nAdc |
| Power dissipation pd ta25 1x1inch pad | 310mW |
| Collector base breakdown voltage vbr cbo | 50Vdc |
| Thermal resistance junction lead min pad | 280°C/W |
| Collector emitter breakdown voltage vbr ceo | 50Vdc |
| Thermal resistance junction ambient min pad | 618°C/W |
| Thermal resistance junction lead 1x1inch pad | 332°C/W |
| Thermal resistance junction ambient 1x1inch pad | 403°C/W |
| Collector emitter saturation voltage vce sat max | 0.25Vdc |
Заметили ошибку в описании или параметрах?