Документация
Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 4.7 кОм+47 кОм
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
8 230 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:8 230 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 852 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 0,95 |
| от 357 | 0,81 |
| от 466 | 0,71 |
| от 932 | 0,65 |
| от 1 863 | 0,60 |
Описание
Цифровой PNP-транзистор от ON Semiconductor со встроенными резисторами 4,7 кОм и 47 кОм. Работает при напряжении до 50 В и токе до 0,1 А, мощность рассеивания — 0,202 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT-323. Подходит для автоматизации промышленных устройств и бытовой электроники.
Технические характеристики
| Корпус | 419 |
| Pin1 | Base (Input) |
| Pin2 | Emitter (Ground) |
| Pin3 | Collector (Output) |
| Стиль | 3 |
| R1 max | 6.1kOhm |
| R1 min | 3.3kOhm |
| Маркировка | 6K |
| Корпус | SC-70/SOT-323 |
| Без свинца | Да |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | MUN5133T1G |
| Упаковка | Tape & Reel |
| Кол-во выводов | 3 |
| Описание | Digital Transistor (BRT), PNP, with monolithic bias resistor network |
| R1 r2 ratio | 0.1 |
| Без галогенов | Да |
| PPAP | Да |
| R1 resistance | 4.7kOhm |
| R2 resistance | 47kOhm |
| Соотв. RoHS | Да |
| R1 r2 ratio max | 0.14 |
| R1 r2 ratio min | 0.08 |
| Тип транзистора | PNP |
| Кол-во на катушке | 3000 |
| AEC-Q101 | Да |
| Hfe мин. | 80 |
| Коэффициент усиления DC тип. | 140 |
| Input voltage on min | 1.3V |
| Input voltage on typ | 0.9V |
| Input forward voltage | 30V |
| Input reverse voltage | 5V |
| Input voltage off max | 0.5V |
| Input voltage off typ | 0.7V |
| Output voltage on max | 0.2V |
| Напряжение коллектор-база | 50V |
| Output voltage off min | 4.9V |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 50V |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150C |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150C |
| Непрерывный ток коллектора | 100mA |
| Описание (англ.) | PNP R1=4,7 KOm: R2=47 KOm |
| Power dissipation 25c min pad | 202mW |
| Power derate above 25c min pad | 1.6mW/C |
| Макс. ток отсечки эмиттер-база | 0.18mA |
| Power dissipation 25c 1inch pad | 310mW |
| Power derate above 25c 1inch pad | 2.5mW/C |
| Макс. ток отсечки К-Б | 100nA |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-база | 50V |
| Collector emitter cutoff current max | 500nA |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 50V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 0.25V |
| Thermal resistance junction lead min pad | 280C/W |
| Thermal resistance junction lead 1inch pad | 332C/W |
| Thermal resistance junction ambient min pad | 618C/W |
| Thermal resistance junction ambient 1inch pad | 403C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?