Документация
Транзистор полевой MUN5111T1G
У поставщика
У поставщиков
11 207 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:11 207 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 94 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 7,35 |
| от 271 | 6,33 |
| от 542 | 5,47 |
| от 1 084 | 4,82 |
| от 2 167 | 4,38 |
Описание
Транзистор биполярный MUN5111T1G от ON Semiconductor. Выполнен в компактном корпусе SOT-323, подходит для поверхностного монтажа. Отличается низким током утечки и стабильной работой при малых напряжениях. Применяется в схемах управления нагрузкой в бытовой электронике и портативных устройствах.
Технические характеристики
| R1 | 10kΩ |
| R2 | 10kΩ |
| Тип | биполярные |
| Корпус | 419 |
| Pin1 | Base (Input) |
| Pin2 | Emitter (Ground) |
| Pin3 | Collector (Output) |
| Стиль | 3 |
| Маркировка | 6A |
| Корпус | SC-70/SOT-323 |
| Без свинца | Да |
| Тип монтажа | SMD |
| Упаковка | Tape & Reel |
| Кол-во выводов | 3 |
| Описание | PNP Digital Transistor (BRT) with monolithic bias resistor network |
| Артикул | MUN5111T1G |
| Без галогенов | Да |
| PPAP | Да |
| Соотв. RoHS | Да |
| Тип транзистора | PNP |
| Shipping quantity | 3000 |
| AEC-Q101 | Да |
| Input resistor r1 max | 13kΩ |
| Input resistor r1 min | 7.0kΩ |
| Input resistor r1 typ | 10kΩ |
| Output voltage on vol | 0.2V |
| Output voltage off voh | 4.9V |
| Hfe мин. | 35 |
| Dc current gain hfe typ | 60 |
| Derate above 25c min pad | 1.6mW/°C |
| Resistor ratio r1 r2 max | 1.2 |
| Resistor ratio r1 r2 min | 0.8 |
| Resistor ratio r1 r2 typ | 1.0 |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Input voltage on vi on min | 2.5V |
| Input voltage on vi on typ | 1.8V |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to +150°C |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 50V |
| Derate above 25c 1x1inch pad | 2.5mW/°C |
| Input voltage off vi off max | 0.8V |
| Input voltage off vi off typ | 1.2V |
| Input forward voltage vin fwd | 40V |
| Input reverse voltage vin rev | 10V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 50V |
| Непрерывный ток коллектора Ic | 100mA |
| Emitter base cutoff current iebo | 0.5mA |
| Power dissipation pd 25c min pad | 202mW |
| Collector base cutoff current icbo | 100nA |
| Power dissipation pd 25c 1x1inch pad | 310mW |
| Collector emitter cutoff current iceo | 500nA |
| Collector base breakdown voltage vbr cbo | 50V |
| Thermal resistance junction lead min pad | 280°C/W |
| Collector emitter breakdown voltage vbr ceo | 50V |
| Thermal resistance junction ambient min pad | 618°C/W |
| Collector emitter saturation voltage vce sat | 0.25V |
| Thermal resistance junction lead 1x1inch pad | 332°C/W |
| Thermal resistance junction ambient 1x1inch pad | 403°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?