Документация
Транзистор биполярный MUN2211T1G / NPN, 0.1А, 50В, SOT-23
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
21 325 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:21 325 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 120 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 5,84 |
| от 314 | 4,99 |
| от 628 | 4,28 |
| от 1 256 | 3,74 |
| от 3 000 | 3,38 |
Описание
Транзистор биполярный MUN2211T1G производства ON Semiconductor — это NPN-прибор со встроенными резисторами в корпусе SOT-23. Компонент рассчитан на ток до 0,1 А и напряжение до 50 В, что делает его удобным для применения в качестве переключателя или усилителя в цифровых и аналоговых схемах. Встроенные резисторы упрощают проектирование и сокращают количество внешних элементов на плате.
Технические характеристики
| Тип | NPN Digital Transistor (BRT) with monolithic bias resistor network |
| Примечания | Pulsed condition for hFE and VCE(sat): Pulse Width=300µs, Duty Cycle≤2% |
| Корпус | SC-59 |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | NPN |
| Shipping | 3000 / Tape & Reel |
| Соответствие | Pb-Free, Halogen Free/BFR Free, RoHS Compliant |
| Артикул | MUN2211T1G |
| Применение | Replaces single transistor and external resistor bias network; reduces board space and component count |
| Производитель | onsemi |
| Part marking | 8A |
| Предельные значения | Напряжение коллектор-база Vcbo: 50V; Input forward voltage vin fwd: 40V; Input reverse voltage vin rev: 10V; Напряжение коллектор-эмиттер Vceo: 50V; Непрерывный ток коллектора Ic: 100mA |
| Internal resistors | R1: 10kΩ; R2: 10kΩ |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Электрические характеристики | Input resistor r1: 10kΩ (7kΩ min, 13kΩ max); Dc current gain hfe: 35 min, 60 typ at IC=5mA, VCE=10V; Resistor ratio r1 r2: 1.0 (0.8 to 1.2); Input voltage on vi on: 2.5Vdc min, 1.8V typ at VCE=0.3V, IC=10mA; Output voltage low vol: 0.2Vdc max at VCC=5V, VB=2.5V, RL=1kΩ; Output voltage high voh: 4.9Vdc min at VCC=5V, VB=0.5V, RL=1kΩ; Input voltage off vi off: 0.8Vdc max, 1.2V typ at VCE=5V, IC=100µA; Emitter base cutoff current iebo: 0.5mAdc max at VEB=6V, IC=0; Collector base cutoff current icbo: 100nAdc max at VCB=50V, IE=0; Collector emitter cutoff current iceo: 500nAdc max at VCE=50V, IB=0; Collector base breakdown voltage vbr cbo: 50Vdc min at IC=10µA, IE=0; Collector emitter breakdown voltage vbr ceo: 50Vdc min at IC=2mA, IB=0; Collector emitter saturation voltage vce sat: 0.25Vdc max at IC=10mA, IB=0.3mA |
| Thermal characteristics sc59 | Derate above 25c min pad: 1.8mW/°C; Power dissipation min pad: 230mW at TA=25°C; Диап. темп. хр.: -55 to +150°C; Диапазон темп. перехода: -55 to +150°C; Derate above 25c 1x1 inch pad: 2.7mW/°C; Power dissipation 1x1 inch pad: 338mW at TA=25°C; Thermal resistance junction to lead min pad: 264°C/W; Thermal resistance junction to ambient min pad: 540°C/W; Thermal resistance junction to lead 1x1 inch pad: 287°C/W; Thermal resistance junction to ambient 1x1 inch pad: 370°C/W |
| Описание (англ.) | TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?