+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
MTC55-12-223F3B
Документация

Тиристорный модуль 55А 1300В MTC55-12-223F3B

Артикул:842088
У поставщика
ПроизводительTechSem
У поставщиков
13 шт.
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:13 шт
Срок поставки: до недели
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 12 452,03
от 22 424,97
от 32 390,02
от 42 340,50
от 52 256,27
Описание

Тиристорный модуль MTC55-12-223F3B от TechSem рассчитан на ток 55 А и напряжение 1300 В. Компонент выполнен в корпусе 223F3B, обеспечивающем надежное охлаждение. Применяется в схемах промышленной автоматики и силовых преобразователях.

Технические характеристики
Ih120mA
Rt3.47mOhm
I²t8.45A2s*10^3
Igt100mA
Vgd0.2V
Vgt2.5V
Vtm1.50V
Vto0.85V
Itsm1.30KA
Tstg-40C to 140C
Viso3000V
Di dt200A/us
Dv dt1000V/us
It av55A
It rms86A
Rth ch0.2C/W
Rth jc0.530C/W
Вес160g
Outline223F3B
КорпусMTC55 module
Тип монтажаisolated mounting base
Idrm irrm8mA
Vdrm vrrm1200V
Vdsm vrsm1300V
Технологияpressure contact
ОписаниеThyristor Module 55A 1300V
АртикулMTC55-12-223F3B
Момент затяжки6.0N.m
Условия тестаIh: Tj=25C; Rt: Tj=125C; I²t: VR=60%VRRM, Tj=125C; Igt: VA=12V, IA=1A, Tj=25C; Vgd: VDM=67%VDRM, Tj=125C; Vgt: VA=12V, IA=1A, Tj=25C; Vtm: ITM=170A, Tj=25C; Vto: Tj=125C; Itsm: 10ms half sine wave, Tj=125C; Viso: 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso=1mA max; Di dt: gate source 1.5A, tr<=0.5us, repetitive, Tj=125C; Dv dt: VDM=67%VDRM, Tj=125C; It av: 180 half sine wave 50Hz, single side cooled, Tc=85C, Tj=125C; It rms: Tj=125C; Idrm irrm: at VDRM/VRRM, Tj=125C
Тип упаковкиШтучный товар
Thermal connection torque4.0N.m
Описание (англ.)Thyristor Modules 55A 1300V Case Outline 223F3B

Заметили ошибку в описании или параметрах?