+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
MT47H128M8SH-25E IT:M
Документация

Микросхема памяти MT47H128M8SH-25E IT:M

Артикул:128042
У поставщика
ПроизводительMicron
Ед. изм.шт
У поставщиков
20 шт.
Норм. уп.: 1518
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:20 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1518
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1827,03
от 7788,82
от 13758,49
от 25731,81
от 50713,78
Описание

Микросхема памяти DDR2 SDRAM от Micron. Объем — 1 Гбит, организована как 128M x 8, работает на частоте до 800 МГц (DDR2-800). Корпус — FBGA. Применяется в промышленной автоматике, сетевом оборудовании и встраиваемых системах.

Технические характеристики
DllDLL to align DQ and DQS transitions with CK
OdtOn-die termination (ODT)
TRC55ns
ТипМикросхемы памяти
Banks8
Плотность1Gb
Корпус60-FBGA (8x10)
Refresh64ms, 8192-cycle refresh
Тип монтажаSMD
Ревизия:M
Скорость передачи данных800 MT/s
Cycle time2.5ns
Размеры8mm x 10.0mm
Cas latencyProgrammable CAS latency (CL)
Cl at speed5
Data strobeDifferential data strobe (DQS, DQS#)
Описание1Gb: x8 DDR2 SDRAM
Io standardJEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible)
Тип памятиDDR2 SDRAM
АртикулMT47H128M8SH-25E IT:M
Rdqs optionDuplicate output strobe (RDQS) option for x8
Row addressA[13:0] (16K)
Класс скорости-25E
Bank addressBA[2:0] (8)
ПроизводительMicron Technology
Организация128 Meg x 8 (16 Meg x 8 x 8 banks)
Код упаковкиSH
Self refreshстандартный
Burst lengths4 or 8
Конфигурация128M8
Refresh count8K
Write latencyWRITE latency = READ latency - 1 tCK
Column addressA[9:0] (1K)
Drive strengthAdjustable data-output drive strength
Соотв. RoHSДа
Additive latencyPosted CAS additive latency (AL)
Supply voltage vdd1.8V ±0.1V
Temperature optionIndustrial (IT)
Supply voltage vddq1.8V ±0.1V
Раб. температура-40°C ≤ TC ≤ +95°C (IT); -40°C ≤ TA ≤ +85°C
Prefetch architecture4n-bit
Частота, МГц400

Заметили ошибку в описании или параметрах?