Документация
Динамическое ОЗУ DDR2 2Гбит 128Mx16 1.8В 84-Pin FBGA лоток
У поставщика
ПроизводительMicron
КатегорияМикросхемы памяти
У поставщиков
22 шт.
Норм. уп.: 1260
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:22 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1260
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1 023,96 |
| от 5 | 978,78 |
| от 9 | 942,90 |
| от 18 | 911,35 |
| от 36 | 890,02 |
Описание
Микросхема динамической памяти DDR2 от Micron объёмом 2 Гбит и организацией 128Mx16. Работает при напряжении 1.8 В, выпускается в корпусе 84-Pin FBGA. Поддерживает температуру от 0 до 85 °C. Применяется в серверах, сетевом оборудовании и промышленных вычислительных системах.
Технические характеристики
| Odt | On-die termination (ODT) |
| TRC | 55ns |
| RoHS | RoHS-compliant |
| Плотность | 2Gb |
| Io type | SSTL_18-compatible |
| Корпус | 84-ball FBGA (9mm x 12.5mm) Rev. C |
| Refresh | 64ms, 8192-cycle refresh |
| Напряжение, В | 1,8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Ревизия | :C |
| Скорость передачи данных | 800 MHz (CL=5) |
| Без свинца | Pb-free |
| Ball count | 84 |
| Cycle time | 2.5ns @ CL=5 |
| Размеры | 9mm x 12.5mm |
| Io voltage | 1.8V ±0.1V |
| Cas latency | 5 |
| Row address | A[13:0] (16K) |
| Класс скорости | -25E |
| Bank address | BA[2:0] (8) |
| Burst length | 4 or 8 |
| Конфигурация | 128 Meg x 16 (16 Meg x 16 x 8 banks) |
| Refresh count | 8K |
| Write latency | READ latency - 1 tCK |
| Column address | A[9:0] (1K) |
| Additive latency | posted CAS additive latency (AL) |
| Раб. температура | 0°C to +85°C (commercial) |
| Output drive strength | Adjustable data-output drive strength |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Описание (англ.) | DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray |
| Рабочая температура | 0°C ~ 85°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?