+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
Документация

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E

Артикул:1029376
У поставщика
ПроизводительMicron
У поставщиков
1 шт.
Цены поставщиков
Склад 38
В наличии:1 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1156,03
Описание

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E — микросхема флеш-памяти NAND типа от Micron. Компонент объёмом 1 Гбит, выполненный в корпусе для поверхностного монтажа. Относится к семейству памяти с последовательным интерфейсом, применяется для хранения данных в промышленной и встраиваемой электронике. Отличается расширенным температурным диапазоном, что подходит для работы в условиях повышенных нагрузок.

Технические характеристики
Плотность1Gb
Корпус48-pin TSOP Type 1
ОсобенностиReady/busy# (R/B#) signal, WP# signal: write protect entire device, First block valid with ECC, Block 0 requires 1-bit ECC if PROGRAM/ERASE cycles < 1000, RESET (FFh) required as first command after power-on
Тип монтажаSMD
Ресурс100,000 PROGRAM/ERASE cycles
ИнтерфейсONFI 1.0 compliant, Async only
Block size64 pages (128K + 4K bytes)
Plane size2 planes x 512 blocks per plane
ТехнологияSLC
Command setONFI NAND Flash Protocol
Device size1024 blocks
АртикулMT29F1G08ABAEAWP-IT:E
Организация1Gb x8/x16 NAND Flash Memory
Код упаковкиWP
Page size x82112 bytes (2048 + 64 bytes)
Page size x161056 words (1024 + 32 words)
Сохранение данныхJESD47 compliant
Read page time25µs
Special optionsPLP (Product longevity program)
Voltage vcc 1v81.7-1.95V
Voltage vcc 3v32.7-3.6V
Erase block time700µs (TYP)
Advanced commandsProgram page cache mode, Read page cache mode, OTP mode, Two-plane commands, Read unique ID, Internal data move, Block lock (1.8V only)
Production statusProduction
Program page time200µs (TYP)
Async io speed 1v825ns (tRC/tWC)
Async io speed 3v320ns (tRC/tWC)
Quality reliabilityJESD47 compliant
Диап. раб. темп.Industrial (-40°C to +85°C)
Operating temperature commercial0°C to +70°C
Operating temperature industrial-40°C to +85°C

Заметили ошибку в описании или параметрах?