Документация
Описание
Полевой транзистор MRF300BN от NEX-NXP выполнен по технологии RF Power LDMOS. Работает при напряжении стока до 133 В и выдаёт до 300 Вт непрерывной мощности в диапазоне частот 1,8–250 МГц. Корпус TO-247-3L с монтажом в отверстия. Применяется в усилителях мощности для радиопередатчиков и промышленной радиоаппаратуры.
Технические характеристики
| Тип | RF Power LDMOS Transistor |
| Цоколевка | Pin1:Drain, Pin2:Source, Pin3:Gate |
| Корпус | TO-247-3L |
| Тип монтажа | THT |
| Артикул | MRF300BN |
| Esd class cdm | C3 (passes 1200V) |
| Esd class hbm | 2 (passes 2500V) |
| Device shipping | TO-247-3L (Pin1:Drain, Pin2:Source, Pin3:Gate), MPQ=240 devices |
| Диап. частот | 1.8–250MHz |
| Снижение выше 25°C | 1.82W/°C |
| Ruggedness test pin | 6W peak |
| Тип. входная емкость | 403pF |
| Operating voltage vdd | 50Vdc |
| Выходная емкость тип. | 104pF |
| Max gate source voltage | -6.0 to +10Vdc |
| Ruggedness test voltage | 50Vdc |
| Max drain source voltage | 133Vdc |
| Output power cw typ 300w | 300W CW |
| Диап. темп. хр. | -65 to +150°C |
| Gate quiescent voltage typ | 2.5Vdc |
| Диапазон темп. перехода | -40 to +175°C |
| Уровень чувствительности к влаге | 0 |
| Drain source on voltage typ | 0.16Vdc |
| Forward transconductance typ | 28S |
| Gate threshold voltage range | 1.7 to 2.7Vdc |
| Max total device dissipation | 272W |
| Load mismatch ruggedness vswr | >65:1 at all phase angles |
| Gate source leakage current max | 1µA |
| Package peak reflow temperature | 225°C |
| Typical performance 230mhz pout | 330W |
| Case operating temperature range | -40 to +150°C |
| Обр. проходная емкость тип. | 2.31pF |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 133Vdc |
| Thermal resistance junction to case cw | 0.55°C/W |
| Thermal impedance junction to case pulse | 0.13°C/W |
| Typical performance 230mhz drain efficiency | 75.5% |
| Zero gate voltage drain leakage current max | 10µA |
| Typical performance 230mhz input return loss | -21dB |