Документация
Магниторезистивное ОЗУ 16Мбит параллельный интерфейс питание 3.3В 54-Pin TSOP лента на катушке
У поставщика
ПроизводительEVERSPIN
КатегорияМикросхемы памяти
У поставщиков
14 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:14 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4 199,26 |
| от 2 | 4 020,63 |
| от 3 | 3 875,13 |
| от 4 | 3 767,12 |
| от 6 | 3 686,79 |
Описание
Магниторезистивное ОЗУ (MRAM) от EVERSPIN объёмом 16 Мбит с параллельным интерфейсом. Работает при напряжении питания 3,3 В, выпускается в корпусе TSOP-54 на ленте и катушке. Энергонезависимая память с высокой скоростью записи и неограниченным ресурсом циклов перезаписи. Подходит для промышленной автоматики, систем хранения данных и ответственных встраиваемых решений.
Технические характеристики
| Ecc | Single bit error correction with 7 ECC parity bits per 64 data bits |
| Плотность | 16,777,216-bit |
| Корпус | TSOP-54 |
| Тип монтажа | SMD |
| Ресурс | Unlimited |
| Кол-во выводов | 54 |
| Организация | 1M x 16 |
| Время запуска | 2ms |
| Сохранение данных | >20 years |
| Напряжение питания | 3.3V (3.0V to 3.6V) |
| Input low voltage | -0.5V to 0.8V |
| Рассеиваемая мощность | 0.600W |
| Input high voltage | 2.2V to VDD+0.3V |
| Темп. хранения | -55 to 150 °C |
| Раб. температура | -40 to +85 °C (industrial) |
| Read write cycle time | 35ns |
| Write inhibit voltage | 2.5V to 3.0V |
| Output current per pin | ±20mA |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Температура пайки выводов | 260°C |
| Уровень чувствительности к влаге | MSL-3 |
| Описание (англ.) | MRAM 16Mbit Parallel 3.3V 54-Pin TSOP T/R |
| Max magnetic field during write | 8000 A/m |
Заметили ошибку в описании или параметрах?