Документация
Магниторезистивное ОЗУ 4Мбит 40МГц 8DFN
У поставщика
ПроизводительEVERSPIN
КатегорияМикросхемы памяти
У поставщиков
48 шт.
Норм. уп.: 570
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:48 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 570
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1 943,10 |
| от 2 | 1 853,62 |
| от 3 | 1 780,74 |
| от 6 | 1 726,64 |
| от 11 | 1 686,39 |
Описание
Магниторезистивное ОЗУ (MRAM) от EVERSPIN объемом 4 Мбит. Работает на частоте 40 МГц в компактном корпусе 8-DFN (5x6 мм). Сохраняет данные при отключении питания и стабильно функционирует в диапазоне температур от -40 до +85 °C. Подходит для промышленной автоматики и систем, требующих высокой надежности хранения данных.
Технические характеристики
| TSCK | 25ns |
| Корпус | 8-DFN-EP, Small Flag (5x6) |
| Интерфейс | SPI |
| Уровень MSL | 3 |
| Кол-во выводов | 8 |
| Сопротивление | — |
| Ёмкость | — |
| Описание | 4Mb SPI Interface MRAM |
| Объем памяти | 4Mb |
| Тип памяти | MRAM |
| Артикул | MR25H40CDF |
| Write delay | Нет |
| Производитель | Everspin Technologies |
| Организация | 524288 words x 8 bits |
| Тип монтажа | SMD |
| Сохранение данных | >20 years |
| Соотв. RoHS | Да |
| Тактовая частота | 40MHz |
| Write endurance | Unlimited |
| Рассеиваемая мощность | — |
| Темп. диапазон | AEC-Q100 Grade 1 (-40°C to +125°C) |
| Размеры упаковки | 5 x 6mm |
| Sleep mode current | Low |
| Макс. напр. пит. | 3.6V |
| Мин. напр. пит. | 3.0V |
| Тип упаковки | Tray (палетта) |
| Макс. раб. темп. | 125°C |
| Мин. раб. темп. | -40°C |
| Описание (англ.) | MRAM 4MBIT 40MHZ 8DFN |
| Рабочая температура | -40В°C ~ 85В°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?