+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
MR25H256CDF
Документация

Магниторезистивное ОЗУ 256Кбит шина SPI питание 3.3В 8-Pin DFN EP лоток

Артикул:883546
У поставщика
ПроизводительEVERSPIN
У поставщиков
26 шт.
Норм. уп.: 360
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:26 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 360
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1554,31
от 3548,06
от 5540,33
от 10530,14
от 20515,87
Описание

Магниторезистивное ОЗУ (MRAM) от EVERSPIN объёмом 256 Кбит с последовательным интерфейсом SPI. Работает при напряжении питания 3.3 В, выпускается в компактном корпусе DFN-8. Энергонезависимая память с высокой скоростью записи и неограниченным ресурсом циклов перезаписи. Подходит для промышленной автоматики, систем хранения данных и ответственных применений, где требуется сохранение информации при отключении питания.

Технические характеристики
КорпусDFN-8
ИнтерфейсSPI
Кол-во выводов8
Spi modesMode 0, Mode 3
Sleep modeLow current
Объем памяти256Kb
Тип памятиMRAM
Write delayНет
Организация32768 words x 8 bits
Тип монтажаSMD
Clock rate max40MHz
Сохранение данных>20 years
Соотв. RoHSДа
Aec q100 grade1Да
Write enduranceUnlimited
Размеры упаковки5mm x 6mm
Макс. напр. пит.3.6V
Мин. напр. пит.2.7V
Block write protectionДа
Ном. напряжение питания3.3V
Тип упаковкиPalette (палетта)
Макс. раб. темп.+85°C
Мин. раб. темп.-40°C
Power loss data protectionAutomatic
Описание (англ.)MRAM 256Kbit Serial-SPI Interface 3.3V 8-Pin DFN EP Tray
Operating temperature max grade1+125°C

Заметили ошибку в описании или параметрах?