Документация
MPSA92 TO-92 транзистор биполярный (арт. 009143)
У поставщика
ПроизводительChina
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
7 490 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:7 490 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 1000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,86 |
Описание
Транзистор биполярный MPSA92 в корпусе TO-92 производства China. Предназначен для использования в схемах усиления и коммутации. Отличается высокой надежностью и подходит для широкого спектра электронных устройств.
Технические характеристики
| Тип | PNP silicon high voltage |
| Выводы | 3 |
| Вес | 3g (approx) |
| Тип | Биполярный транзистор |
| Корпус | TO-92 |
| Тип монтажа | THT |
| Применение | video, telephony, professional communication equipment |
| Корпус | TO-92 |
| Монтаж | Выводной |
| Материал корпуса | Пластик |
| Weight approx | 3 grams |
| Hfe at 1mA min | 25 |
| Hfe at 10mA typ | 40 |
| Hfe at 30mA min | 25 |
| Base current peak | -100mA |
| Complementary pair | MPSA42 |
| Soldering standard | MIL-STD-202, Method 208 |
| Частота перехода | 50 MHz |
| Collector capacitance | 6 pF |
| Макс. ток коллектора | -100mA |
| Current base peak max | 100mA |
| Dc current gain hfe 1 | 25 min @ Ic=-1mA, Uce=-10V |
| Dc current gain hfe 2 | 40 min @ Ic=-10mA, Uce=-10V |
| Dc current gain hfe 3 | 25 min @ Ic=-30mA, Uce=-10V |
| Макс. рассеиваемая мощность | 625mW |
| Collector current peak | -200mA |
| Current collector dc max | 100mA |
| Напряжение эмиттер-база макс. | -5V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 5V |
| Диап. темп. хр. | -65 to 150°C |
| Collector base capacitance | 6pF @ Ucb=-20V, Ie=0, f=1MHz |
| Напряжение коллектор-база макс. | -300V |
| Current collector peak max | 200mA |
| Напряжение коллектор-база макс. | 300V |
| Диап. раб. темп. | -65 to 150°C |
| Emitter base leakage current | -100nA @ Ueb=-3V, Ic=0 |
| Макс. напр. К-Э | -300V |
| Напряжение коллектор-эмиттер макс. | 300V |
| Collector base leakage current | -250nA @ Ucb=-200V, Ie=0 |
| Напр. нас. база-эмиттер | -900mV @ Ic=-20mA, Ib=-2mA |
| Emitter base leakage current max | -100 nA |
| Collector base leakage current max | -250 nA |
| Макс. Uбэ нас. | -900mV |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 200 K/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -500mV @ Ic=-20mA, Ib=-2mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | -500mV |