+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
MPSA42 TO-92 транзистор биполярный HotTech (арт. 107075)
Документация

MPSA42 TO-92 транзистор биполярный HotTech (арт. 107075)

Артикул:737840
У поставщика
ПроизводительHOTTECH
У поставщиков
9 000 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:9 000 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 1000
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 11,50
Описание

Транзистор биполярный MPSA42 от HotTech в корпусе TO-92 предназначен для использования в высоковольтных усилительных и переключающих схемах. Компонент относится к категории NPN-транзисторов и обеспечивает надежную работу при повышенных напряжениях. Применяется в блоках питания, драйверах и аудиоаппаратуре.

Технические характеристики
Ft50MHz
Pc625mW
ТипNPN Bipolar Transistor
Vcbo310V
Vceo305V
Vebo5V
Цоколевка1: Emitter, 2: Base, 3: Collector
Rth JA200°C/W
Rth jc83.3°C/W
Макс. Tj150°C
ТипБиполярный транзистор
Ток0.5 А
Макс. HFE250
Мин. HFE80
МаркировкаA42
КорпусTO-92
Vbe sat0.9V
Vce sat0.2V
Ic pulse500mA
Тип монтажаTHT
Макс. Tstg150°C
Мин. Tstg-55°C
РазмерыA: 3.30-3.70mm; B: 0.38-0.55mm; C: 0.36-0.51mm; D: 4.30-4.70mm; E: 4.30-4.70mm; H: 0.00-0.38mm; L: 14.10-14.50mm; A1: 1.10-1.40mm; D1: 3.43mm; E1: 2.44-2.64mm; Phi: 1.60mm
Hfe rank a80-100
Hfe rank b100-200
Hfe rank c200-250
Тип упаковкиTO-92
КорпусTO-92
МонтажВыводной
Размеры ммШирина корпуса: 4.3-4.7; Высота корпуса: 3.43 (typ); Длина корпуса: 4.3-4.7; Длина вывода: 14.1-14.5; Расстояние между выводами: 1.27 (typ)
Ic continuous200mA
Тип монтажаTHT
Hfe rank optionsA:80-100, B:100-200, C:200-250
Мощность0.625 Вт
Частота перехода50MHz
Напряжение300 В
Collector current pulsed500mA
Напряжение эмиттер-база макс.5V
Макс. темп. перехода150°C
Диап. темп. хр.-55°C to 150°C
Напряжение коллектор-база макс.310V
Emitter cutoff current max0.1µA
Мощн. коллектора625mW
Непрерывный ток коллектора200mA
Макс. ток отсечки коллектора0.25µA
Dc current gain hfe1 min 1ma60
Макс. напр. К-Э305V
Dc current gain hfe3 min 30ma75
Напряжение пробоя эмиттер-база5V
Dc current gain hfe2 range 10ma80-250
Напряжение пробоя коллектор-база310V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер305V
Тепл. сопр. переход-корпус83.3°C/W
Термосопротивление переход-среда200°C/W
Base emitter saturation voltage typical0.9V
Collector emitter saturation voltage typical0.2V

Заметили ошибку в описании или параметрах?