+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
MOC3082M
Документация

ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ MOC3082M, Оптопара с симисторным выходом ON Semiconductor, 800В, корпус DIP-6

Артикул:748413
У поставщика
У поставщиков
1 057 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 057 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 10 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 179,22
от 2773,36
от 5068,57
от 15065,00
от 25062,33
Описание

Оптопара с симисторным выходом MOC3082M от ON Semiconductor предназначена для гальванической развязки цепей управления и нагрузки. Компонент рассчитан на напряжение до 800 В и выпускается в стандартном корпусе DIP-6. Применяется для коммутации цепей переменного тока, управления твердотельными реле и силовыми симисторами в промышленной и бытовой электронике.

Технические характеристики
ТипОптопара с симисторным выходом
КорпусDIP-6
Тип монтажаВыводной
АртикулMOC3082M
Zero crossingДа
Critical dv dt min600V/µs
Application voltage240VAC
Inhibit voltage max20V
Inhibit voltage min12V
Макс. обратное напряжение6V
On state voltage max3V
Total power derating2.94mW/°C
Critical dv dt typical1500V/µs
Emitter power derating1.41mW/°C
Peak off state voltage800V
Detector power derating1.76mW/°C
Holding current typical500µA
Isolation surge voltage7500Vac(pk)
Температура пайки выводов260°C for 10 sec
Led forward current max60mA
Led forward voltage max1.5V
Led trigger current max10mA
Макс. темп. хр.150°C
Мин. темп. хр.-40°C
Общая рассеиваемая мощность250mW
Макс. темп. перехода100°C
Темп. перехода мин.-40°C
On state voltage typical1.8V
Мощность эмиттера120mW
Макс. раб. темп.85°C
Мин. раб. темп.-40°C
Рассеиваемая мощность детектора150mW
Led forward voltage typical1.3V
Reverse leakage current max100µA
Peak repetitive surge current1A
Leakage in inhibited state max500µA
Leakage in inhibited state min200µA
Detector peak blocking current max500nA
Detector peak blocking current typical10nA

Заметили ошибку в описании или параметрах?