+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
MOC217M
Документация

Оптоизолятор 2.5кВ транзисторный выход c выводом базы 8SOIC

Артикул:800660
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
У поставщиков
154 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:154 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 18 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 141,65
от 1840,50
от 3538,89
от 10036,55
от 15033,81
Описание

Оптоизолятор MOC217M от ON Semiconductor с транзисторным выходом и выводом базы. Компонент обеспечивает изоляцию до 2.5 кВ, выпускается в компактном корпусе SO-8 и работает в диапазоне температур от -40°C до 100°C. Подходит для гальванической развязки в промышленной автоматике и блоках питания.

Технические характеристики
КорпусSO-8
Тип монтажаSMD
КомпонентMOC217M
Кол-во выводов8
Описание8-pin SOIC single-channel phototransistor output optocoupler
Тип выходаPhototransistor with base pin
Расстояние между выводами0.050 inch
Обратное напряжение6V
Led power derate0.8mW/°C above 25°C
Степень загрязнения2
Одобр. безоп.UL1577, DIN-EN/IEC60747-5-5
Путь утечки>=4mm
Конфиг. выводов1=Anode, 2=Cathode, 3=N/C, 4=N/C, 5=Emitter, 6=Collector, 7=Base, 8=N/C
Воздушный зазор>=4mm
Количество каналов1
Safety output power300mW
Isolation voltage ul2500VAC RMS for 1 minute
Safety input current200mA
Detector power derate1.76mW/°C above 25°C
Input forward voltage1.07V min, 1.3V typ at I_F=1mA
Led power dissipation90mW @ TA=25°C
Climatic classification55/100/21
Температура пайки выводов260°C for 10 seconds
Safety case temperature150°C
Тип упаковкиTube (туба)
Напряжение коллектор-эмиттер30V
Emitter collector voltage7V
Minimum guaranteed bv ceo30V
Диап. темп. хр.-40 to +125°C
Total device power derate2.94mW/°C above 25°C
Индекс трекингостойкости175
Рассеиваемая мощность детектора150mW @ TA=25°C
Диапазон темп. перехода-40 to +125°C
Working insulation voltage565V peak
Distance through insulation>=0.4mm
Emitter peak forward current1.0A (PW=100µs, 120pps)
Описание (англ.)OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC
Highest allowable over voltage4000V peak
Общая рассеиваемая мощность240mW @ TA=25°C
Emitter continuous forward current60mA
Input output test voltage method a904V peak, t=10s, partial discharge <5pC peak
Input output test voltage method b1060V peak, t=1s, partial discharge <5pC peak
Ambient operating temperature range-40 to +100°C
Insulation resistance at safety temp>10^9Ω at V=500V
Detector continuous collector current150mA
Рабочая температура-40°C ~ 100°C
Installation classification mains lt 150VI-IV
Installation classification mains lt 300VI-III

Заметили ошибку в описании или параметрах?