Документация
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.33 Вт, 100 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм
У поставщика
ПроизводительSHIKUES
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
8 174 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:8 174 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 484 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,43 |
| от 341 | 1,24 |
| от 681 | 1,09 |
| от 1 362 | 0,97 |
| от 3 000 | 0,88 |
Описание
Цифровой биполярный транзистор NPN от SHIKUES. Работает при напряжении до 50 В и токе до 0.5 А, мощность рассеивания — 0.33 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT-23 со встроенными резисторами 4.7 кОм. Подходит для коммутации нагрузок в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | NPN Digital Transistor |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | SOT-23 standard package outline |
| Коэф. усиления DC | 15 min at VCE=10V, IC=5mA |
| Ток коллектора | 100mA |
| Input resistor r1 | 3.3kΩ to 6.1kΩ |
| Output voltage on | 0.2V max at VCC=5V, VB=2.5V, RL=1kΩ |
| Output voltage off | 4.9V min at VCC=5V, VB=0.5V, RL=1kΩ |
| Темп. перехода | 150°C |
| Resistor ratio r1 r2 | 0.8 to 1.2 |
| Напряжение коллектор-база | 50V |
| Общая рассеиваемая мощность | 200mW |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 50V |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Emitter base cutoff current | 1.5mA max at VEB=6V |
| Описание (англ.) | NPN Digital 50V/0.5A/0.33W R=4.7K/4.7K |
| Ток отсечки коллектор-база | 100nA max at VCB=50V |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 50V min at IC=10µA |
| Ток отсечки коллектор-эмиттер | 500nA max at VCE=50V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 50V min at IC=2mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25V max at IC=10mA, IB=1mA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?