Документация
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
274 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:274 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 548 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 0,73 |
| от 462 | 0,62 |
| от 570 | 0,54 |
| от 1 140 | 0,50 |
| от 3 000 | 0,46 |
Описание
Цифровой биполярный транзистор NPN от ON Semiconductor. Работает при напряжении до 50 В и токе до 0,1 А, мощность рассеивания — 0,246 Вт, встроенные резисторы 4,7 кОм. Выполнен в компактном корпусе SOT-23. Подходит для цепей управления в бытовой электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Маркировка | A8F |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Да |
| Описание | Digital Transistor (BRT), NPN with monolithic bias resistor network |
| Артикул | MMUN2216LT1G |
| Без галогенов | Да |
| Конфигурация | NPN |
| Соотв. RoHS | Да |
| Снижение выше 25°C | 2.0mW/°C |
| Input resistor r1 | 4.7kΩ (3.3kΩ min, 6.1kΩ max) |
| Размеры упаковки | SOT-23 (CASE 318) |
| Dc current gain hfe | 160 min, 350 typ |
| Автомобильный | S and NSV prefix for automotive, AEC-Q101 qualified |
| Power dissipation pd | 246mW |
| Output voltage on vol | 0.2V max |
| Input voltage on vi on | 1.3V min, 0.9V typ |
| Output voltage off voh | 4.9V min |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Input voltage off vi off | 0.5V max, 0.6V typ |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 50V |
| Описание (англ.) | TRANS PREBIAS NPN 0.4W SOT23-3 |
| Input forward voltage vin fwd | 30V |
| Input reverse voltage vin rev | 6V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 50V |
| Непрерывный ток коллектора Ic | 100mA |
| Emitter base cutoff current iebo | 1.9mA |
| Collector base cutoff current icbo | 100nA |
| Collector emitter cutoff current iceo | 500nA |
| Junction and storage temperature range | -55 to +150°C |
| Thermal resistance junction to lead r jl | 174°C/W |
| Collector base breakdown voltage v br cbo | 50V |
| Thermal resistance junction to ambient r ja | 508°C/W |
| Collector emitter breakdown voltage v br ceo | 50V |
| Collector emitter saturation voltage vce sat | 0.25V max |
Заметили ошибку в описании или параметрах?