Документация
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
12 913 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:12 913 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 572 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,21 |
| от 387 | 1,05 |
| от 773 | 0,93 |
| от 1 546 | 0,82 |
| от 3 000 | 0,75 |
Описание
Цифровой биполярный транзистор NPN от ON Semiconductor. Работает при напряжении до 50 В и токе до 0,1 А, мощность рассеивания — 0,246 Вт. Встроенные резисторы 10 кОм упрощают схему включения. Корпус SOT-23-3 подходит для поверхностного монтажа. Применяется в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Цоколевка | Pin1: Base (Input); Pin2: Emitter (Ground); Pin3: Collector (Output) |
| Маркировка | A8E |
| Корпус | SOT-23 |
| Без свинца | Да |
| Тип монтажа | SMD |
| Shipping | 3000 / Tape & Reel |
| Кол-во выводов | 3 |
| Описание | Digital Transistor (BRT), NPN, with monolithic bias resistor network |
| Артикул | MMUN2215LT1G |
| Без галогенов | Да |
| PPAP | Да |
| Соотв. RoHS | Да |
| Тип транзистора | NPN |
| Снижение выше 25°C | 2.0mW/°C |
| AEC-Q101 | Да |
| Input resistor r1 max | 13kΩ |
| Input resistor r1 min | 7.0kΩ |
| Input resistor r1 typ | 10kΩ |
| Output voltage on vol | 0.2V |
| Output voltage off voh | 4.9V |
| Hfe мин. | 160 |
| Dc current gain hfe typ | 350 |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Input voltage on vi on min | 1.7V |
| Input voltage on vi on typ | 1.2V |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 50V |
| Total device dissipation pd | 246mW |
| Derate above 25c 1x1inch pad | 3.2mW/°C |
| Input voltage off vi off max | 0.5V |
| Input voltage off vi off typ | 0.6V |
| Описание (англ.) | TRANS PREBIAS NPN 0.4W SOT23-3 |
| Input forward voltage vin fwd | 40V |
| Input reverse voltage vin rev | 6V |
| Диапазон температуры перехода Tj | -55°C to +150°C |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 50V |
| Диапазон температур хранения | -55°C to +150°C |
| Непрерывный ток коллектора Ic | 100mA |
| Emitter base cutoff current iebo | 0.9mA |
| Collector base cutoff current icbo | 100nA |
| Collector emitter cutoff current iceo | 500nA |
| Напряжение пробоя коллектор-база Vbrcbo | 50V |
| Total device dissipation pd 1x1inch pad | 400mW |
| Thermal resistance junction to lead rthjl | 174°C/W |
| Напряж. пробоя К-Э | 50V |
| Collector emitter saturation voltage vce sat | 0.25V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 508°C/W |
| Thermal resistance junction to lead rthjl 1x1inch pad | 208°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient rthja 1x1inch pad | 311°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?