Документация
Транзистор полевой MMUN2133LT1G
У поставщика
У поставщиков
29 950 шт.
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,01 |
Цены поставщиков
РадиоЧип
В наличии:29 950 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,01 |
Описание
Транзистор PNP Digital Transistor (BRT) от ON Semiconductor со встроенной резисторной цепью смещения. Выполнен в миниатюрном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа, рассчитан на напряжение до 50 В и мощность рассеивания 246 мВт. Подходит для автоматизации управления нагрузками в промышленной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | PNP Digital Transistor (BRT) with Monolithic Bias Resistor Network |
| Маркировка | A6K |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | PNP |
| Артикул | MMUN2133LT1G |
| Input voltage on min | 1.3V |
| Input voltage off max | 0.5V |
| Output voltage on max | 0.2V |
| Output voltage off min | 2.5V |
| Hfe мин. | 80 |
| Dc current gain hfe typ | 140 |
| Series base resistor r1 | 4.7kΩ |
| Base emitter resistor r2 | 47kΩ |
| Derate above 25c min pad | 2.0mW/°C |
| Макс. прямое вх. напр. | 30V |
| Обр. напр. вх. макс. | 5V |
| Power dissipation min pad | 246mW |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | 50V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Макс. напр. К-Э | 50V |
| Derate above 25c 1x1 inch pad | 3.2mW/°C |
| Power dissipation 1x1 inch pad | 400mW |
| Условия hFE | Ic=5mA, Vce=10V |
| Макс. ток отсечки эмиттер-база | 0.18mA |
| Макс. пост. ток коллектора | 100mA |
| Input voltage on test conditions | Vce=0.3V, Ic=5mA |
| Макс. ток отсечки К-Б | 100nA |
| Input voltage off test conditions | Vce=5V, Ic=100μA |
| Output voltage on test conditions | Vcc=5V, Vb=2.5V, RL=1kΩ |
| Output voltage off test conditions | Vcc=5V, Vb=0.5V |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-база | 50V |
| Collector emitter cutoff current max | 500nA |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 50V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 0.25V |
| Thermal resistance junction to lead min pad | 174°C/W |
| Collector emitter saturation test conditions | Ic=10mA, Ib=0.3mA |
| Thermal resistance junction to ambient min pad | 508°C/W |
| Thermal resistance junction to lead 1x1 inch pad | 208°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient 1x1 inch pad | 311°C/W |