+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
MMSD4148T1G
Документация

Диод SMD MMSD4148T1G

Артикул:124554
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияДиоды SMD
Ед. изм.шт
У поставщиков
28 674 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:28 674 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 188 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 13,69
от 4743,07
от 9482,55
от 1 8952,19
от 6 0001,94
Описание

Диод SMD MMSD4148T1G от ON Semiconductor — это быстродействующий переключательный диод в миниатюрном корпусе для поверхностного монтажа. Работает с обратным напряжением до 100 В и прямым током до 200 мА. Подходит для высокочастотных схем, защиты от перенапряжений и логических цепей в промышленной и бытовой электронике.

Технические характеристики
Вывод 1Cathode
Вывод 2Anode
МаркировкаDate code: M; Device code: 5I; Pb free indicator: µ
КорпусSOD-123
Тип монтажаSMD
РазмерыBody width e: 2.54-2.84mm; Корпус: SOD-123 Case 425-04; Body height a: 0.94-1.35mm; Body length d: 1.40-1.80mm; Lead length l: 0.25mm min; Terminal width b: 0.51-0.71mm; Overall height he: 3.56-3.86mm
ОписаниеSwitching Diode
КонфигурацияSingle
Название компонентаMMSD4148T1G
QualificationsRoHS: Pb-Free, Halogen Free/BFR Free, RoHS Compliant; Automotive: S prefix for automotive, AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Предельные значенияПрямой ток: 200mA; Continuous reverse voltage: 100V; Forward surge current t 1us: 2.0A; Повторяющийся пиковый прямой ток: 0.5A; Pulse wave 1s duty cycle 66 percent: 0.5A; Forward surge current t less than 1s: 1.0A; Operating and storage junction temperature range: -55 to +150°C
Тепл. хар-киСнижение выше 25°C: 3.4mW/°C; Термосопротивление переход-среда: 290°C/W; Total device dissipation fr5 board ta 25c: 425mW
Электрические характеристикиПрямое напряжение: Max: 1000mV; Test condition: IF = 10mA; Емкость диода: Max: 4.0pF; Test condition: VR = 0V, f = 1.0MHz; Время обратного восстановления: Max: 4.0ns; Test condition: IF = IR = 10mA; Обратное пробивное напряжение: Min: 100V; Test condition: IBR = 100µA; Reverse voltage leakage current: At vr 20v: 25nA max; At vr 75v: 5.0µA max

Заметили ошибку в описании или параметрах?