Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 31Вт
У поставщика
ПроизводительMAP
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
105 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт72,90 ₽
Сумма729,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии105 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 10 штюрлицам и ИП
от 11 — 68,61 ₽ (−6%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 729,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 571,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
10 шт · Склад 13 · 729,00 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от производителя MAP. Работает при напряжении до 600 В, токе до 11 А и мощности 31 Вт, выполнен в корпусе TO-220F. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Маркировка | 60R360P |
| Корпус | TO-220F |
| Упаковка | трубка |
| Тип монтажа | Выводной |
| Кол-во выводов | 3 |
| Код заказа | MMF60R360PTH |
| Технология | super junction |
| Описание | 600V 0.36Ω N-channel MOSFET |
| Размер A | 4.50-4.93mm |
| Размер B | 0.63-0.91mm |
| Размер C | 0.33-0.63mm |
| Размер d | 15.47-16.13mm |
| Размер e | 9.60-10.71mm |
| Размер F | 2.34-2.84mm |
| Размер G | 6.48-6.90mm |
| Размер L | 12.24-13.72mm |
| Размер q | 2.52-2.96mm |
| Размер R | 3.00-3.55mm |
| Артикул | MMF60R360P |
| Статус RoHS | Halogen Free |
| Dimension b1 | 1.15-1.47mm |
| Размер L1 | 2.79-3.67mm |
| Dimension q1 | 3.10-3.50mm |
| Тип. время спада | 30ns |
| Тип. время нарастания | 40ns |
| Шаг E | 2.54mm |
| Рассеиваемая мощность | 31W |
| Темп. диапазон | -55 ~ 150℃ |
| Тип. сопротивление затвора | 3.5Ω |
| Импульсный ток стока | 33A |
| Тип. заряд затвор-сток | 10nC |
| Тип. входная емкость | 890pF |
| Тип. заряд затвора | 28nC |
| Diode dv dt ruggedness | 15V/ns |
| Тип. заряд затвор-исток | 7nC |
| Выходная емкость тип. | 670pF |
| Время задержки вкл. тип. | 18ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±30V |
| Устойчивость MOSFET dv/dt | 50V/ns |
| Время задержки выкл. тип. | 80ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Макс. напряжение сток-исток | 600V |
| Макс. ток утечки затвора | 100nA |
| Напр. диода макс. | 1.4V |
| Тип. время восст. | 375ns |
| Диап. темп. хр. | -55 ~ 150℃ |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2V |
| Тип. пороговое Uзи | 3V |
| Drain source voltage max tj | 650V |
| Тип. заряд восст. | 4.1μC |
| Тип. ток обратного восстановления | 21.8A |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 600V 11A 31W |
| Энергия одиноч. импульса | 220mJ |
| Continuous drain current tc 25 | 11A |
| Макс. Rси вкл. | 0.36Ω |
| Тип. сопротивление сток-исток | 0.32Ω |
| Continuous drain current tc 100 | 6.95A |
| Длительный прямой ток диода | 11A |
| Обр. проходная емкость тип. | 40pF |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 600V |
| Макс. темп. перехода | 150℃ |
| Макс. ток стока при нулевом напряжении затвора | 1μA |
| Тепловое сопротивление переход-корпус, макс. | 4℃/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда, макс. | 62.5℃/W |
| Тип. эффективная выходная ёмкость, связанная с энергией | 26pF |
| Обратное напряжение, В | 600 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?