Документация
MMBZ6V8ALT1G, [SOT-23]; ESD Protection Devices ROHS;=MMBZ6V8ALT1G(ON)
У поставщика
ПроизводительUMW
У поставщиков
6 000 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:6 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 10000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,11 |
| от 1 000 | 2,12 |
| от 10 000 | 1,96 |
Описание
MMBZ6V8ALT1G — защитный диод от ESD производства UMW. Компонент выполнен в миниатюрном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа, выдерживает контактные разряды до ±30 кВ и импульсный ток до 2,5 А. Номинальное напряжение пробоя — 6,8 В, рассеиваемая мощность — 200 мВт. Подходит для защиты портов ввода-вывода в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| ESD (мм) | >400V |
| ЭСР HBM | >16kV |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Тестовый ток | 1.0mA |
| Корпус | SOT-23 |
| Esd iec level | 4 (±30kV contact) |
| Device marking | 6A8 |
| Прямой ток | 10mA |
| Прямое напряжение | 0.9V |
| Напряжение фиксации | 9.6V |
| Импульсный ток макс. | 2.5A |
| Класс горючести | UL 94V-0 |
| Макс. пробойное напр. | 7.14V |
| Мин. пробойное напр. | 6.46V |
| Breakdown voltage nom | 6.8V |
| Температура пайки | 260°C for 10s |
| Peak power dissipation | 24W |
| Обратный ток утечки | 0.5µA |
| Общая рассеиваемая мощность | 200mW |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Диап. раб. темп. | -55 to +150°C |
| Раб. имп. обратное напряжение | 4.5V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?