Документация
Супрессор MMBZ15VALT1G
У поставщика
У поставщиков
6 043 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 2срок до 2 недель
Цена за шт4,69 ₽
Сумма9,38 ₽
В наличии2 шт
от 2 штюрлицам и ИП
Склад 13срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии6 041 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
продаётся от 100 штпри 100 — 7,60 ₽
2 шт · Склад 2 · 9,38 ₽
Описание
Супрессор MMBZ15VALT1G от ON Semiconductor защищает электронику от перенапряжений. Работает при напряжении 15 В, рассеивает мощность до 225 мВт, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Применяется в портативной и бытовой электронике для защиты цепей питания и сигнальных линий.
Технические характеристики
| Тип | супрессоры |
| Корпус | CASE 318, STYLE 12 |
| Серия | MMBZxxxALT1G Series, SZMMBZxxxALT1G Series |
| Маркировка | 15A |
| Корпус | SOT-23 |
| Без свинца | Да |
| Тип монтажа | SMD |
| Описание | Zener Diodes, 24 and 40 Watt Peak Power, SOT-23 Dual Common Anode Zeners |
| Тип устройства | Dual Common Anode Zener Diode / TVS |
| Артикул | MMBZ15VALT1G |
| Класс ESD, мм | Class C (>400V) |
| Конфигурации | Two separate unidirectional configurations or a single bidirectional configuration |
| Рейтинг ЭСР HBM | Class 3B (>16kV) |
| Соотв. RoHS | Да |
| Конфиг. выводов | Dual Common Anode (Cathode 1, Anode 3, Cathode 2) |
| Напряжение ограничения (Vc) | 21V |
| Класс горючести | UL 94 V-0 |
| Автомобильный | SZ prefix, AEC-Q101 qualified, PPAP capable |
| Снижение выше 25°C, FR5 | 1.8mW/C |
| Макс. прямое напряжение Vf | 0.9V |
| Пиковый импульсный ток | 1.9A |
| Заказ, лента-катушка 3000 | MMBZ15VALT1G |
| Снижение выше 25°C, оксид алюминия | 2.4mW/C |
| Заказ, лента-катушка 10000 | MMBZ15VALT3G |
| Макс. напряжение пробоя | 15.75V |
| Мин. напряжение пробоя | 14.25V |
| Пробивное напряжение, ном. (VBR) | 15V |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150C |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150C |
| Пиковая рассеиваемая мощность, 1 мс | 40W |
| Обратный ток утечки Ir | 50nA |
| Допуск напряжения пробоя | 5% |
| Макс. температура пайки выводов | 260C |
| Общая рассеиваемая мощность, FR5 | 225mW |
| ЭСР IEC 61000-4-2 контактный разряд | +/-30kV |
| Прямое напряжение при токе If | 10mA |
| Макс. ТКС напряжения пробоя | 12.3mV/C |
| Общая рассеиваемая мощность, оксид алюминия | 300mW |
| Температура и время пайки выводов | 10s |
| Условия пиковой рассеиваемой мощности | @ 1.0 ms, TL <= 25C, unidirectional |
| Ток теста напряжения пробоя, IT | 1.0mA |
| Условия измерения обратного тока утечки | @ VRWM = 12V |
| Рабочее пиковое обратное напряжение VRWM | 12V |
| Общая рассеиваемая мощность, FR5 | @ TA = 25C |
| Общая рассеиваемая мощность, алунд | @ TA = 25C |
| Тепловое сопротивление переход-среда FR5 | 556C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда (Al2O3) | 417C/W |
| Рабочее напряжение, В | 15 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?