+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
MMBZ12VALT1G
Документация

Диод SMD MMBZ12VALT1G

Артикул:99807
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияДиоды SMD
Ед. изм.шт
У поставщиков
3 000 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 029,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 271,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 1 029,00 ₽
Описание

Диод SMD MMBZ12VALT1G от ON Semiconductor — защитный стабилитрон в корпусе SMD. Рабочее напряжение стабилизации 12 В, подходит для поверхностного монтажа. Применяется в цепях защиты от перенапряжения в бытовой электронике и портативных устройствах.

Технические характеристики
Наименование изделияMMBZ12VALT1G
СерияMMBZxxxALT1G Series
Маркировка12A
КорпусSOT-23
Без свинцаДа
Тип монтажаSMD
ОписаниеDual monolithic silicon Zener diode, common anode, transient overvoltage protection
ГорючестьUL 94 V-0
Тестовый ток1mA
КонфигурацияDual common anode, unidirectional (pins 1-3 or 2-3)
Рейтинг ЭСР HBMClass 3B (>16kV)
Соотв. RoHSДа
Прямое напряжение0.9V max @ IF=10mA
Напряжение фиксации17V @ IPP
Напряжение пробоя12V nominal (11.4V min, 12.6V max)
Импульсный ток макс.2.35A
АвтомобильныйSZ prefix, AEC-Q101, PPAP capable
Пиковая рассеиваемая мощность40W @ 1ms
Устойчивость к ЭСР, IEC 61000-4-2Level 4, ±30kV contact discharge
Температура пайки выводов260°C в течение 10 секунд
Обратный ток утечки200nA @ VRWM
Темп. коэф.7.5mV/°C
ESD по модели машиныClass C (>400V)
Допуск напряжения пробоя5%
Общая рассеиваемая мощность, FR5225mW @ TA=25°C, derate 1.8mW/°C
Раб. имп. обратное напряжение8.5V
Общая рассеиваемая мощность, оксид алюминия300mW @ TA=25°C, derate 2.4mW/°C
Диапазон температур перехода и хранения-55°C to +150°C
Тепловое сопротивление переход-среда FR5556°C/W
Тепловое сопротивление переход-среда (Al2O3)417°C/W
Напряжение, В12

Заметили ошибку в описании или параметрах?