+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
MMBTA92
Документация

MMBTA92, Биполярный транзистор PNP 300В 300мА 300мВт SOT-23

Артикул:1207007
У поставщика
ПроизводительYJ
У поставщиков
133 620 шт.
Норм. уп.: 100
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 12срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии1 100 шт
от 1 000 штюрлицам и ИП
продаётся от 1 000 штпри 1 000 — 1,10 ₽
200 шт · Склад 39 · 608,00 ₽
Описание

Биполярный транзистор PNP MMBTA92 от YJ выполнен в миниатюрном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер до 300 В, ток коллектора до 300 мА и мощность рассеивания 300 мВт. Подходит для высоковольтных ключей и усилителей в промышленной автоматике и бытовой электронике.

Технические характеристики
Ток I CBO-250nA max at Vcb=-200V
Iэбо-100nA max at Veb=-5V
Вес0.009g
Макс. ток коллектора-300mA
Маркировка2D
P c max300mW
КорпусSOT-23
Тип монтажаSMD
Макс. напряжение коллектор-база-300V
Макс. напряжение коллектор-эмиттер-300V
Макс. напряжение эмиттер-база-5V
Тепловое сопротивление кристалл-среда417°C/W
Покрытие выводовлужёный
Количество в катушке3000
ПаяемостьJ-STD-002, JESD22-B102
Тип компонентаPNP Silicon High Voltage Transistor
Коэф. усиления DCVce=-10V, ic=-1mA: 60 min; Vce=-10V, ic=-10mA: 100-200; Vce=-10V, ic=-30mA: 60 min
V be saturation-0.9V max at Ic=-20mA, Ib=-2mA
V ce saturation-0.2V max at Ic=-20mA, Ib=-2mA
СтруктураPNP
Класс горючестиUL-94 V-0
Соответствие материалаRoHS, Halogen free optional
Частота перехода50MHz min at Vce=-20V, Ic=-10mA, f=30MHz
Breakdown voltage cbo-300V min
Breakdown voltage ceo-300V min
Breakdown voltage ebo-5V min
Диап. темп. хр.-55 to 150°C
Диапазон темп. перехода-55 to 150°C
Уровень чувствительности к влаге1
Напр-е к-э (Uкэо макс),В300
Коэф-т передачи тока hfe 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.5

Заметили ошибку в описании или параметрах?