Документация
Транзистор MMBTA92
У поставщика
У поставщиков
3 251 шт.
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 300 | 1,20 |
| от 800 | 1,12 |
| от 2 000 | 1,09 |
| от 4 000 | 1,08 |
Цены поставщиков
РадиоЧип
В наличии:3 251 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 300 | 1,20 |
| от 800 | 1,12 |
| от 2 000 | 1,09 |
| от 4 000 | 1,08 |
Описание
Транзистор MMBTA92 от MERRYELC — высоковольтный PNP-ключ в компактном корпусе SOT-23. Выдерживает напряжение до 300 В и ток до 200 мА, рассеивая до 300 мВт. Подходит для цепей управления в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Мощность, Вт | 300 mW |
| RthJA | 417°C/W |
| Ft мин. | 50MHz |
| Макс. ток коллектора | -200mA |
| Макс. Pc | 300mW |
| Макс. Tj | 150°C |
| Корпус | SOT-23 |
| Icbo макс. | -250nA |
| Макс. IEBO | -100nA |
| Тип монтажа | SMD |
| Макс. Tstg | 150°C |
| Мин. Tstg | -55°C |
| VCBO макс. | -300V |
| Vceo макс. | -300V |
| Vebo макс. | -5V |
| Hfe 1 min | 60 |
| Hfe 2 max | 200 |
| Hfe 2 min | 100 |
| Hfe 3 min | 60 |
| Артикул | MMBTA92 |
| Vbe нас. макс. | -0.9V |
| Vbr cbo min | -300V |
| Vbr ceo min | -300V |
| Vbr ebo min | -5V |
| Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.2V |
| Тип компонента | NPN Transistor |
| Epoxy ul rating | 94V-0 |
| Комплементарный к | MMBTA42 |
| Коэф. усиления DC 1 | 60 |
| Коэффициент усиления DC 2 | 100 |
| Коэф. усиления DC 3 | 60 |
| Положение монтажа | Any |
| Темп. хранения | -55-150 ℃ |
| Темп. перехода | 150 ℃ |
| Частота перехода | 50 MHz |
| Напряжение эмиттер-база | -5 В |
| Pulse test conditions | pulse width ≤300μs, duty cycle ≤2.0% |
| Ток отсечки эмиттера | -0.1 μA |
| Напряжение коллектор-база | -300 В |
| Ток отсечки коллектора | -0.25 μA |
| Импульсный ток коллектора | -500 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -300 В |
| Ток коллектора непрерывный | -200 mA |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | -5 В |
| Напр. нас. база-эмиттер | -0.9 В |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -300 В |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -300 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.2 В |
| Термосопротивление переход-среда | 417 ℃/W |