Документация
Транзистор MMBTA92
У поставщика
У поставщиков
81 654 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:81 654 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,45 |
| от 900 | 3,66 |
| от 1 500 | 3,22 |
| от 2 450 | 2,87 |
| от 4 125 | 2,63 |
Описание
Транзистор MMBTA92 от JSCJ — это PNP биполярный высоковольтный транзистор в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Мощность рассеивания составляет 300 мВт, коэффициент усиления по току — от 60 до 100. Применяется в промышленной автоматике и блоках питания.
Технические характеристики
| Тип | PNP transistor |
| Мощность, Вт | 300 |
| Маркировка | 2D |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Шаг выводов | 0.95mm |
| Артикул | MMBTA92 |
| Marking notes | Solid dot indicates green molding compound |
| Lead length max | 0.5mm |
| Длина вывода мин. | 0.3mm |
| Доп. примечания | High voltage transistor |
| Lead pitch outer | 1.8mm to 2.0mm |
| Коэф. усиления DC 1 | 60 |
| Коэффициент усиления DC 2 | 100 |
| Коэф. усиления DC 3 | 60 |
| Package width max | 1.4mm |
| Package width min | 1.2mm |
| Макс. высота корпуса | 1.15mm |
| Package height min | 0.9mm |
| Package length max | 3.0mm |
| Package length min | 2.8mm |
| Темп. хранения | -55-150 ℃ |
| Темп. перехода | 150 ℃ |
| Частота перехода | 50 MHz |
| Напряжение эмиттер-база | -5 В |
| Dc current gain max 2 | 200 |
| Dc current gain min 1 | 60 |
| Dc current gain min 2 | 100 |
| Dc current gain min 3 | 60 |
| Capacitance ib typical | from graph |
| Capacitance ob typical | from graph |
| Ток отсечки эмиттера | -0.1 μA |
| Package body width max | 2.55mm |
| Package body width min | 2.25mm |
| Напряжение коллектор-база | -300 В |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Ток отсечки коллектора | -0.25 μA |
| Импульсный ток коллектора | -500 mA |
| Напряжение эмиттер-база макс. | -5V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Темп. перехода мин. | -55°C |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -300 В |
| Напряжение коллектор-база макс. | -300V |
| Макс. ток отсечки эмиттера | -0.1μA |
| Collector current pulsed max | -500mA |
| Макс. ток отсечки коллектора | -0.25μA |
| Ток коллектора непрерывный | -200 mA |
| Transition frequency typical | 50MHz |
| Макс. напр. К-Э | -300V |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | -5 В |
| Напр. нас. база-эмиттер | -0.9 В |
| Макс. Pк | 300mW |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -300 В |
| Макс. пост. ток коллектора | -200mA |
| Dc current gain test conditions 1 | Vce=-10V, Ic=-1mA |
| Dc current gain test conditions 2 | Vce=-10V, Ic=-10mA |
| Dc current gain test conditions 3 | Vce=-10V, Ic=-30mA |
| Мин. пробой эмиттер-база | -5V |
| Saturation voltage test conditions | Ic=-20mA, Ib=-2mA |
| Макс. Uбэ нас. | -0.9V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -300 В |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-база | -300V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.2 В |
| Условия измерения fT | Vce=-20V, Ic=-10mA, f=30MHz |
| Термосопротивление переход-среда | 417°C/W |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -300V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | -0.2V |
| Тип транзистора | PNP transistor |
Заметили ошибку в описании или параметрах?